公开(公告)号：CN116209332A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310161442.3

申请日：2023-02-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张金宝 ,  杨丽 ,  杜国政 ,  李晓锋

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/16 ,  H10K30/20 ,  C23C14/02 ,  C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/20

Abstract: 一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用，本发明通过MISD这一工艺，实现了更高效率的分子掺杂，进而大大提高了薄膜的电导率和空穴迁移率，也优化了薄膜的表面电势，薄膜的HOMO能级也实现了降低。这些提升大大减少了器件的非辐射复合，降低了载流子在传输过程中的损失，最终大幅提升了器件效率(>22.3％)。由于没有LiTFSI、tBP等掺杂剂的影响，MISD的器件也展现出了优异的稳定性，在环境中存放5200h后仍可以保持90％以上的初始效率。由此体现本发明可以同时提升电池效率及稳定性，为钙钛矿的太阳能电池的商业化发展提供启发和借鉴。