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公开(公告)号：CN101174424A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710009898.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 钴钒超高密度垂直磁记录介质及其制备方法，涉及一种磁记录介质。提供一种具有高的磁晶各向异性能、良好的垂直磁记录特性和优异的化学稳定性，能满足垂直磁记录介质所需的低噪音和高热稳定性的要求，可用于高密度垂直磁记录的钴钒超高密度垂直磁记录介质及其制备方法。为HCP结构的多晶组织，钒原子百分比13％～24％，厚度200～600nm。将清洗好的玻璃基片装入溅射室，装钴靶，在钴靶上放钒片；对溅射室抽气至本底真空优于5×10－4Pa；加热溅射室，温度在200～300℃；通入Ar气，气压保持0.6～0.7Pa，预溅射至少10min，清洁靶面，最后溅射沉积20～60min。
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公开(公告)号：CN101174424B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200710009898.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 钴钒超高密度垂直磁记录介质及其制备方法，涉及一种磁记录介质。提供一种具有高的磁晶各向异性能、良好的垂直磁记录特性和优异的化学稳定性，能满足垂直磁记录介质所需的低噪音和高热稳定性的要求，可用于高密度垂直磁记录的钴钒超高密度垂直磁记录介质及其制备方法。为HCP结构的多晶组织，钒原子百分比13％～24％，厚度200～600nm。将清洗好的玻璃基片装入溅射室，装钴靶，在钴靶上放钒片；对溅射室抽气至本底真空优于5×10-4Pa；加热溅射室，温度在200～300℃；通入Ar气，气压保持0.6～0.7Pa，预溅射至少10min，清洁靶面，最后溅射沉积20～60min。
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公开(公告)号：CN101216386A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710144117.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种薄膜材料的透射电镜样品的制备方法，涉及一种电镜样品，尤其是涉及一种适合于400℃以下磁控溅射制备的各种成分、各种厚度的薄膜材料的透射电镜样品的制备方法。提供一种制备过程简单、成功率较高的薄膜材料的透射电镜样品的制备方法。采用磁控溅射镀膜方法制备薄膜，薄膜的衬底是热固性聚酰亚胺；将镀膜后的薄膜放入双联网中；将双联网和薄膜浸入80％的水合肼中，待热固性聚酰亚胺完全溶解，取出放入酒精中清洗；将清洗后的双联网放入离子减薄仪，使用角度6～9°进行减薄，直到减漏为止。
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