公开(公告)号：CN118866986A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410879317.0

申请日：2024-07-02

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  刘正冉 ,  呼殷泽 ,  朱晓钢 ,  张国良 ,  陈雨箭

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 一种具有电荷层场板终端结构的金刚石肖特基二极管器件，由多个元胞并联形成，单个元胞中自下而上依次包括欧姆接触金属层、P+型金刚石衬底层、P‑型金刚石外延层、氧封端金刚石表面层；所述氧封端金刚石表面层的上表面同时与电荷储存介质层以及正面有源区肖特基接触金属层接触，电荷储存介质层正上方为场氧介质层，电荷储存介质层与场氧介质层共同环绕在正面有源区肖特基接触金属层周围，金属场板位于场氧介质层上方及内侧侧壁，并与正面有源区肖特基接触金属层相接。本发明可避免传统场板终端的表面及介质提前击穿问题，提高器件的可靠性及反向耐压，以充分发挥金刚石半导体的极端材料特性与电学特性。

公开(公告)号：CN117219673A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311336619.5

申请日：2023-10-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  朱晓钢 ,  陈雨箭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L23/552 ,  H01L21/336

Abstract: 一种抗总剂量辐射的双介质屏蔽栅MOSFET，在沟道区引入叠栅结构，即AlN沟道区与AlON耐压区；在SGT区引入与多晶硅屏蔽电极；在SGT区引入总剂量辐射抗性较大的AlON；采用高k介质提升器件栅阻断能力。本发明还公开了SGT‑MOSFET的制备方法，本发明将为航空航天用功率器件优化提供重要的参考意义。