公开(公告)号：CN115574966A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211077486.X

申请日：2022-09-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 海振银 ,  孙道恒 ,  曾英俊 ,  陈国淳 ,  陈沁楠 ,  何功汉 ,  武超 ,  林帆 ,  潘晓川 ,  李劲 ,  吴文杰 ,  崔宇轩 ,  崔灿

IPC: G01K7/18 ,  G01K7/21

Abstract: 本发明公开了一种基于直写成型的高温铂薄膜温度传感器、制备方法及应用，该传感器包括陶瓷基底、铂敏感栅、前驱体陶瓷保护层、焊点、引线和压块，铂敏感栅和前驱体陶瓷保护层依次通过韦森堡直写成型技术直写于陶瓷基底上，其中，用于直写前驱体陶瓷保护层的原料组分包括：45wt％～55wt％的SiCN前驱体陶瓷溶液、25wt％～35wt％的TiB2粉末、1.2wt％～2wt％Y2O3粉末及13.8wt％～23wt％的ZrO2粉末，前驱体陶瓷保护层覆盖在铂敏感栅上，引线设于压块与铂敏感栅之间，并通过焊点实现与铂敏感栅的电性连接。该传感器具有耐高温(50℃至800℃)、小扰动及高温稳定性好等优势，有望突破目前丝网印刷及磁控溅射工艺制备铂薄膜温度传感器所导致的成本高、材料单一及曲面共形困难等瓶颈问题。