公开(公告)号：CN118727075A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410828396.2

申请日：2024-06-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 夏启飞 ,  钟毅 ,  黎科 ,  张鑫硕

IPC: C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  C25D5/54

Abstract: 本发明属于先进封装技术领域，具体公开了一种用于高深宽比TSV盲孔填实的电镀液和电镀工艺，其中电镀液包括基础镀液和复合添加剂，所述基础镀液包括硫酸铜100‑300g/L、硫酸10‑100g/L、氯离子10‑200ppm，所述复合添加剂包括光亮剂、抑制剂、整平剂，所述光亮剂、抑制剂、整平剂的质量比为1‑100：0.1‑10：1‑20，所述基础镀液和添加剂的体积比为1000:0.5‑2。本发明在使用条件范围内，有效抑制表面的铜生长，促进孔底部铜离子的还原，实现高深宽比TSV的无缝填充；采用酸性硫酸铜体系，工艺简单，采用传统的三添加剂体系，有利于药液维护，适用于现有的晶圆级电镀设备。

公开(公告)号：CN116657202A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310606505.1

申请日：2023-05-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 于大全 ,  黎科 ,  夏启飞 ,  王曼玉 ,  钟毅

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  C23C28/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  C23C18/40 ,  C23C18/18

Abstract: 本发明属于封装转接板工艺技术领域，具体公开了一种用于高深宽比硅通孔填实的方法及镀液，其中用于高深宽比硅通孔填实的方法包括沉积Ru催化层：通过原子层沉积技术在样品表面沉积Ru催化层；化学镀铜种子层：将处理后的样品清洗后进行化学镀铜；电镀铜填充：对处理后的样品进行电镀，电镀结束后用水冲洗，吹干，制作切片。本发明的方法开发出可以实现在高深宽比硅盲孔形成致密铜钟子层的化镀铜配方以及无缺陷铜填实的电镀铜配方。

公开(公告)号：CN119275102A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411371356.6

申请日：2024-09-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张鑫硕 ,  钟毅 ,  黎科 ,  夏启飞

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种低成本金刚石拼接晶圆级散热器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：对金刚石片进行表面预处理；在硅晶圆片上旋涂光刻胶；将表面预处理后的金刚石片按一定间距的阵列转移至表面旋涂光刻胶的硅晶圆片上；通过PVD依次在表面包含阵列排列的金刚石片的硅晶圆片上生长过渡层和电镀种子层；在电镀种子层表面电镀铜，呈阵列排列的金刚石片之间的空隙被完全填充；将电镀铜填充处理后的晶圆片表面进行磨抛处理；通过有机溶剂将金刚石下表面的光刻胶溶解掉。本发明通过电镀拼接的方式，将金刚石小片拼接成晶圆，成本远远小于制作同等大小的晶圆级金刚石。