公开(公告)号：CN116752117A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310635975.0

申请日：2023-05-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  杨谦益 ,  沈鹏 ,  余路成 ,  许飞雅 ,  陈小红

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。