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公开(公告)号：CN104959626B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510385468.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法，涉及核壳纳米材料。将Cu纳米线与金属有机盐混溶于十八烯胺溶液中；将反应容器加热，第一阶段，将反应容器内溶液温度加热至80～120℃后，通入N2，恒温加热10～20min；第二阶段，当金属有机盐为乙酰丙酮镍或乙酰丙酮锌时，反应温度为180～210℃；当金属有机盐为乙酰丙酮钒或乙酰丙酮钛时，反应温度为140～170℃；当反应溶液的温度由80～120℃达到设定温度后，恒温加热30～60min，反应结束；待反应溶液冷却，加入正己烷溶液，超声，将溶液转移至离心管中离心，纳米线固体沉积在离心管底部，将离心管中上层溶液倒掉即得完成包裹后的Cu纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104532209B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510039073.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法，涉及六方氮化硼。在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层；携带Borazane的气体离开石英管后，将Cu箔衬底弯曲成半圆柱状并折置入石英舟，推入加热温区，抽真空，加热，当温度达到设定值时通入H2，进行表面去氧化物处理，继续升高三区的生长温度，对一区前驱物加热，同时达到设定值一区温度和三区温度时，从石英管中通入H2和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，直至Cu箔被完全覆盖,反应结束后取出Cu箔，即在Cu箔上生长大面积六方氮化硼薄层，再旋涂pmma层，溶解掉Cu衬底,将pmma/六方氮化硼薄膜转移到衬底上，再去除样品表面的pmma层，即完成。
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公开(公告)号：CN104959626A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510385468.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法，涉及核壳纳米材料。将Cu纳米线与金属有机盐混溶于十八烯胺溶液中；将反应容器加热，第一阶段，将反应容器内溶液温度加热至80～120℃后，通入N2，恒温加热10～20min；第二阶段，当金属有机盐为乙酰丙酮镍或乙酰丙酮锌时，反应温度为180～210℃；当金属有机盐为乙酰丙酮钒或乙酰丙酮钛时，反应温度为140～170℃；当反应溶液的温度由80～120℃达到设定温度后，恒温加热30～60min，反应结束；待反应溶液冷却，加入正己烷溶液，超声，将溶液转移至离心管中离心，纳米线固体沉积在离心管底部，将离心管中上层溶液倒掉即得完成包裹后的Cu纳米线。
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公开(公告)号：CN104233222B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410500423.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法，涉及六方氮化硼二维纳米薄膜的制备。提供可有效缩减复杂的氮化硼专业工艺，提高h-BN的质量，并直接和Si基电子器件结合，从而获得高性能的新型光电子器件的一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法。采用一端封闭的石英管，控制CVD气流温度条件在Cu箔上生长出二维h-BN薄膜；将生长出二维h-BN薄膜的Cu箔与Si片同时放置，调控其距离，在Si(100)表面沉积均匀且尺寸小于1μm的Cu微晶粒阵列；利用Cu微晶粒催化作用，在Si(100)上直接生长六方氮化硼二维薄膜。
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公开(公告)号：CN104532209A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510039073.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法，涉及六方氮化硼。在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层；携带Borazane的气体离开石英管后，将Cu箔衬底弯曲成半圆柱状并折置入石英舟，推入加热温区，抽真空，加热，当温度达到设定值时通入H2，进行表面去氧化物处理，继续升高三区的生长温度，对一区前驱物加热，同时达到设定值一区温度和三区温度时，从石英管中通入H2和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，直至Cu箔被完全覆盖,反应结束后取出Cu箔，即在Cu箔上生长大面积六方氮化硼薄层，再旋涂pmma层，溶解掉Cu衬底,将pmma/六方氮化硼薄膜转移到衬底上，再去除样品表面的pmma层，即完成。
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公开(公告)号：CN104233222A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410500423.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法，涉及六方氮化硼二维纳米薄膜的制备。提供可有效缩减复杂的氮化硼专业工艺，提高h-BN的质量，并直接和Si基电子器件结合，从而获得高性能的新型光电子器件的一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法。采用一端封闭的石英管，控制CVD气流温度条件在Cu箔上生长出二维h-BN薄膜；将生长出二维h-BN薄膜的Cu箔与Si片同时放置，调控其距离，在Si(100)表面沉积均匀且尺寸小于1μm的Cu微晶粒阵列；利用Cu微晶粒催化作用，在Si(100)上直接生长六方氮化硼二维薄膜。
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