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公开(公告)号：CN111826718A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010678954.3
申请日：2020-07-15
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及一种园桶形对称多片碳化硅外延生长反应管，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片扇形，石墨桶也可由若干扇面拼接而成；每炉更换反应管主体，故外延生长的初始状态恒定，克服当前普遍存在的重复性问题；使用机械手操作，不浪费机时；采用管子套管子结构降低使用成本；设有激光在线膜厚监控及双波长在线测温装置；注重采用气流及水流对称性设计以确保生长参数自然均匀；本发明属近耦合体系，膜厚的均匀性易得到保证；本发明同样适合UV LED等器件的生产。
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公开(公告)号：CN1276122C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410017930.4
申请日：2004-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/18 , C23C16/448
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积系统中的加热装置，它包括衬底、石墨舟、感应圈和托架，特征是石墨舟由扁平圆柱体和圆筒体构成，圆筒体加工在扁平圆柱体的底部中央。在圆筒体的底部中间加工有用于插入测温头的内凹槽。本发明由于在传统的扁平圆柱体形状的石墨舟底部中央加工有一圆筒体，当感应圈通电工作时，石墨舟下部的圆筒体处在场强最高的区域，会吸收更多的电磁能而产生更多的热量，热量会向上传导使石墨舟的中心区域得到热量的补充，从而达到整个石墨舟上表面的温度均匀。当工作温度在600℃以上时，本发明可将衬底温度控制在2℃以内。本发明具有能够提高石墨舟的温度均匀性从而进一步提高材料生长的均匀性、结构简单的优点。
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公开(公告)号：CN1276125C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410017929.1
申请日：2004-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的楔形反应管，包括石英管、感应圈、进气管、出气管、衬底、石墨舟、上法兰和下法兰，在石英管外套有感应圈，特征是：在反应室内安装有圆柱形罩，隔板将进气腔分隔为左进气腔和右进气腔，圆柱形罩的出气腔与出气管连通。顶板倾斜的圆柱形罩与衬底一起形成一个楔形的反应腔，反应腔的进气端宽，出气端窄。本发明还设计有衬底旋转装置。下法兰安装在升降杆的升降臂上。本发明具有能够将不同反应气体分别送入反应室、有助于反应气体形成良好的层流、使反应气体混合均匀、减小预反应、大大提高材料生长均匀性和送取样非常方便的优点。
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公开(公告)号：CN1664165A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510023879.2
申请日：2005-02-02
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/22 , B05B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于化合物半导体材料生长的化学气相沉积设备的喷头及原料输入方法，它包括第一气体供应管1、第二气体供应管2、冷却水供应管3、喷头本体4、第一进气腔5、第二进气腔6、水冷腔7、第一气体注入管8、第二气体注入管9。所述第一气体注入管的横截面积大于第二气体注入管的横截面积，且所述第一气体注入管和第二气体注入管交替地排列。进入量大的元素周期表中的V或VI族原料通过第一气体注入管进入，进入量小的元素周期表中III族或II组原料通过第二气体注入管进入。
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公开(公告)号：CN1563484A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017929.1
申请日：2004-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的楔形反应管，包括石英管、感应圈、进气管、出气管、衬底、石墨舟、上法兰和下法兰，在石英管外套有感应圈，特征是：在反应室内安装有圆柱形罩，隔板将进气腔分隔为左进气腔和右进气腔，圆柱形罩的出气腔与出气管连通。顶板倾斜的圆柱形罩与衬底一起形成一个楔形的反应腔，反应腔的进气端宽，出气端窄。本发明还设计有衬底旋转装置。下法兰安装在升降杆的升降臂上。本发明具有能够将不同反应气体分别送入反应室、有助于反应气体形成良好的层流、使反应气体混合均匀、减小预反应、大大提高材料生长均匀性和送取样非常方便的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1563477A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017930.4
申请日：2004-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/18 , C23C16/448
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积系统中的加热装置，它包括衬底、石墨舟、感应圈和托架，特征是石墨舟由扁平圆柱体和圆筒体构成，圆筒体加工在扁平圆柱体的底部中央。在圆筒体内加工有用于插入测温头的凹槽。本发明由于在传统的扁平圆柱体形状的石墨舟底部中央加工有一圆筒体，当感应圈通电工作时，石墨舟下部的圆筒体处在场强最高的区域，会吸收更多的电磁能而产生更多的热量，热量会向上传导使石墨舟的中心区域得到热量的补充，从而达到整个石墨舟上表面的温度均匀。当工作温度在600℃以上时，本发明可将衬底温差控制在2℃以内。因此本发明具有能够提高石墨舟的温度均匀性从而进一步提高材料生长的均匀性、结构简单的优点。
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公开(公告)号：CN104030037B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201410274883.5
申请日：2014-06-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: B65G49/00
Abstract: 一种MOCVD石墨盘自动传递机构，属于MOCVD装备制造技术领域。包括安装在反应室底板下面的固定座，升降直线导轨固接在固定座中上部；安装板固接在升降滑块上，在安装板上固接有两个轴承座组件，旋转轴紧配合安装在两个轴承座组件内套轴承的内圈上；直线推杆固接在固定座的下端，直线推杆的活动伸出端与铰接座相铰接，铰接座固接在与升降滑块固接在一起的轴承座上；步进电机固接在安装板下部；伸缩直线导轨固接在支撑板的中间；垫块固接在伸缩滑块上，石墨盘传递叉的底端固接在垫块上，无杆气缸固接在支撑板的后部，伸缩滑块固接在垫块上。本发明机构应用在MOCVD上，提供了一种位置精度高、结构简单、造价低、工作可靠的MOCVD石墨盘自动传递机构。
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公开(公告)号：CN104030037A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410274883.5
申请日：2014-06-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: B65G49/00
Abstract: 一种MOCVD石墨盘自动传递机构，属于MOCVD装备制造技术领域。包括安装在反应室底板下面的固定座，升降直线导轨固接在固定座中上部；安装板固接在升降滑块上，在安装板上固接有两个轴承座组件，旋转轴紧配合安装在两个轴承座组件内套轴承的内圈上；直线推杆固接在固定座的下端，直线推杆的活动伸出端与铰接座相铰接，铰接座固接在与升降滑块固接在一起的轴承座上；步进电机固接在安装板下部；伸缩直线导轨固接在支撑板的中间；垫块固接在伸缩滑块上，石墨盘传递叉的底端固接在垫块上，无杆气缸固接在支撑板的后部，伸缩滑块固接在垫块上。本发明机构应用在MOCVD上，提供了一种位置精度高、结构简单、造价低、工作可靠的MOCVD石墨盘自动传递机构。
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公开(公告)号：CN1563483A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017471.X
申请日：2004-04-01
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头，包括封闭形的外壳体，在外壳体内有上进气腔和下进气腔，在上中层板与底板之间安装有与上进气腔和反应室连通的上出气管，在下中层板与底板之间安装有与下进气腔和反应室连通的下出气管，特征是下出气管的直径大于上出气管的直径，且上出气管放置于下出气管中。本发明还设计有冷却腔。第一路反应气体和第二路反应气体分别由上出气管、下出气管进入反应室，到达衬底表面。因此本发明具有能够将不同反应气体分别送入反应室、使反应气体充分混合均匀、减小预反应、制造成品率高的优点。
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公开(公告)号：CN111826718B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010678954.3
申请日：2020-07-15
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及一种圆桶形对称多片碳化硅外延生长反应管，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片扇形，石墨桶也可由若干扇面拼接而成；每炉更换反应管主体，故外延生长的初始状态恒定，克服当前普遍存在的重复性问题；使用机械手操作，不浪费机时；采用管子套管子结构降低使用成本；设有激光在线膜厚监控及双波长在线测温装置；注重采用气流及水流对称性设计以确保生长参数自然均匀；本发明属近耦合体系，膜厚的均匀性易得到保证；本发明同样适合UV LED等器件的生产。
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