公开(公告)号：CN118431337A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410445906.8

申请日：2024-04-15

Applicant: 南昌大学

Inventor： 廖霞霞 ,  张慧凤 ,  周杨波 ,  付彬芸

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明属于半导体紫外光电探测技术领域，具体涉及一种TiSe2‑TiO2日盲探测器及其制备方法和应用。该TiSe2‑TiO2日盲光电探测器以二维过渡金属硫族化合物TiSe2为原材料，通过机械剥离得到TiSe2薄膜，转移至带有预电极的衬底上，然后采用激光辐照的方法，制备TiSe2‑TiO2横向异质结，进而构建得到。本发明以二维过渡金属硫族化合物TiSe2为原材料，首次创新提出了机械剥离和激光辐照相结合的方法，制备TiSe2‑TiO2横向异质结。采用激光辐照的方法，一方面可以通过调节激光功率和积分时间实现对不同厚度TiSe2不同程度的氧化，另一方面还可以借助扫描面积灵活控制器件面积；此外，该本发明操作简单，耗时短，原料廉价易得，安全环保，并且制得的异质结器件的光电探测性能优异。

公开(公告)号：CN116322292A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310537245.7

申请日：2023-05-14

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周杨波 ,  肖美铃 ,  廖霞霞 ,  肖志林 ,  王勇 ,  付彬芸

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 一种基于六方氮化硼阻变存储器及制备方法。阻变存储器自下而上依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极；阻变层材料为h‑BN薄膜；通过机械剥离法制得六方氮化硼薄膜，并通过聚焦离子束局部调控引入缺陷作为阻变介质层，制备基于六方氮化硼的阻变存储器。本发明采用h‑BN作为阻变层介质，成功实现了h‑BN作为阻变层的阻变响应；器件具有SET电压和RESET电压低的特点；采用聚焦离子束对h‑BN表面加工，引入缺陷，实现了聚焦离子束对二维材料的局部加工；并且通过可控引入缺陷，降低了Au/h‑BN/Ag 阻变存储器的SET电压；并具有制备方法操作简单，耗时短的特点。

公开(公告)号：CN116544302A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310351436.4

申请日：2023-04-04

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周杨波 ,  陈峰 ,  廖霞霞 ,  肖震洋 ,  肖言发 ,  魏文康 ,  付彬芸

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明属于纳米功能材料领域，具体涉及一种基于准一维范德华材料ZrS3纳米带的可调偏振光电探测器的制备方法。本方法采用机械剥离法将ZrS3晶体剥离成纳米带并转移到SiO2/Si衬底上，再经过电子束曝光和真空蒸镀制备ZrS3光电探测器，通过改变光源波长和调节栅极电压实现可调偏振光电探测器。基于该方法制备的ZrS3光电探测器具有偏振可调，灵敏度高，响应快，性能稳定等特点。该方法操作简单，耗时短，可重复性高，利于高性能可调偏振光电探测器的生产和应用。