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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108677154A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810304108.8
申请日：2018-04-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种无焙烧Tl源制备Tl‑1223高温超导薄膜的方法。步骤包括：在衬底基片上准备Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶态的先驱膜；将先驱膜放入蓝宝石坩埚内进行高温退火，Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶态先驱膜转变成TlBa2Ca2Cu3O8（Tl‑1223）高温超导薄膜。本发明采用表面光滑的蓝宝石坩埚，提供的密闭空间，使得先驱膜内的Tl可以完全提供结晶所需的Tl氛围。这样不需焙烧Tl源，减少了不确定因素，可以稳定的制备出高质量的超导薄膜。本发明制备的Tl‑1223超导薄膜，具有生产成本低、工艺简单、对环境友好的优点；与Tl‑2212相比，在强磁场下工作具有优势，可用于制作无源微波器件及其他超导器件，也可用于科学研究等。
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公开(公告)号：CN108677154B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810304108.8
申请日：2018-04-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种无焙烧Tl源制备Tl‑1223高温超导薄膜的方法。步骤包括：在衬底基片上准备Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶态的先驱膜；将先驱膜放入蓝宝石坩埚内进行高温退火，Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶态先驱膜转变成TlBa2Ca2Cu3O8（Tl‑1223）高温超导薄膜。本发明采用表面光滑的蓝宝石坩埚，提供的密闭空间，使得先驱膜内的Tl可以完全提供结晶所需的Tl氛围。这样不需焙烧Tl源，减少了不确定因素，可以稳定的制备出高质量的超导薄膜。本发明制备的Tl‑1223超导薄膜，具有生产成本低、工艺简单、对环境友好的优点；与Tl‑2212相比，在强磁场下工作具有优势，可用于制作无源微波器件及其他超导器件，也可用于科学研究等。
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公开(公告)号：CN111979515B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910439057.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及超导材料技术领域，具体涉及一种蓝宝石坩埚和制备铊系高温超导薄膜的方法。本发明提供的蓝宝石坩埚包括蓝宝石上盖和蓝宝石底座；所述蓝宝石上盖的中间区域设置有圆形凹槽，所述圆形凹槽的顶面为弧面；所述蓝宝石底座的中间区域设置有圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的底面为弧面；其中，所述圆形凹槽和圆柱形凹槽同轴心。本发明提供的蓝宝石坩埚的蓝宝石上盖中圆形凹槽的顶面为弧面，且蓝宝石底座中圆柱形凹槽的底面为弧面，保证含铊先驱膜样品中间部分的空间相对于边缘部分更大，这样可以使含铊先驱膜样品处于均匀的Tl2O蒸气氛围中，保证所得铊系高温超导薄膜具有均一的结晶和超导特性，尤其适合大尺寸铊系高温超导薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN111979515A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910439057.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及超导材料技术领域，具体涉及一种蓝宝石坩埚和制备铊系高温超导薄膜的方法。本发明提供的蓝宝石坩埚包括蓝宝石上盖和蓝宝石底座；所述蓝宝石上盖的中间区域设置有圆形凹槽，所述圆形凹槽的顶面为弧面；所述蓝宝石底座的中间区域设置有圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的底面为弧面；其中，所述圆形凹槽和圆柱形凹槽同轴心。本发明提供的蓝宝石坩埚的蓝宝石上盖中圆形凹槽的顶面为弧面，且蓝宝石底座中圆柱形凹槽的底面为弧面，保证含铊先驱膜样品中间部分的空间相对于边缘部分更大，这样可以使含铊先驱膜样品处于均匀的Tl2O蒸气氛围中，保证所得铊系高温超导薄膜具有均一的结晶和超导特性，尤其适合大尺寸铊系高温超导薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN209941078U
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201920758826.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本实用新型涉及超导材料技术领域，具体涉及一种蓝宝石坩埚。本实用新型提供的蓝宝石坩埚包括蓝宝石上盖和蓝宝石底座；所述蓝宝石上盖的中间区域设置有圆形凹槽，所述圆形凹槽的顶面为弧面；所述蓝宝石底座的中间区域设置有圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的底面为弧面；其中，所述圆形凹槽和圆柱形凹槽同轴心。本实用新型提供的蓝宝石坩埚的蓝宝石上盖中圆形凹槽的顶面为弧面，且蓝宝石底座中圆柱形凹槽的底面为弧面，保证含铊先驱膜样品中间部分的空间相对于边缘部分更大，这样可以使含铊先驱膜样品处于均匀的Tl2O蒸气氛围中，保证所得铊系高温超导薄膜具有均一的结晶和超导特性，尤其适合大尺寸铊系高温超导薄膜的制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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