公开(公告)号：CN104485382A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410796003.0

申请日：2014-12-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈平 ,  卢亚宾 ,  李星 ,  赵东旭 ,  林列

IPC: H01L31/101

CPC classification number: H01L31/101 ,  H01L31/035227

Abstract: 一种光敏元件，包括半导体有源层、纳米孔阵列层、亚微米颗粒层、阳极和阴极，纳米孔阵列层设有贯穿纳米孔阵列层的纳米孔，纳米孔沿纳米孔阵列层的厚度方向延伸，半导体有源层、纳米孔阵列层和亚微米颗粒层依次层叠，纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端对齐，阳极和阴极均位于半导体有源层上，且阳极和阴极分别位于纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端。上述光敏元件，当亚微米颗粒被入射光激发时，其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振会使得该亚微米颗粒表面的局域电磁场被极大增强。通过亚微米颗粒结构和纳米孔阵列结构之间的局域表面等离子体共振耦合作用能够使得半导体产生的载流子数量增强，从而提高半导体的光电流强度，提高灵敏度。

公开(公告)号：CN105244403B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201510670067.0

申请日：2015-10-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈平 ,  卢亚宾 ,  刘伟伟 ,  张振中 ,  李博研 ,  赵东旭 ,  林列

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种非晶硅PIN光电池，包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。上述非晶硅PIN光电池，当亚微米银颗粒被入射光激发时，其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振效应，通过将亚微米银颗粒与依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层和p型非晶硅层结合相互作用，能够有效提高非晶硅PIN光电池的光谱响应能力。此外，还提供一种非晶硅PIN光电池的制备方法。

公开(公告)号：CN104485382B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410796003.0

申请日：2014-12-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈平 ,  卢亚宾 ,  李星 ,  赵东旭 ,  林列

IPC: H01L31/101

Abstract: 一种光敏元件，包括半导体有源层、纳米孔阵列层、亚微米颗粒层、阳极和阴极，纳米孔阵列层设有贯穿纳米孔阵列层的纳米孔，纳米孔沿纳米孔阵列层的厚度方向延伸，半导体有源层、纳米孔阵列层和亚微米颗粒层依次层叠，纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端对齐，阳极和阴极均位于半导体有源层上，且阳极和阴极分别位于纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端。上述光敏元件，当亚微米颗粒被入射光激发时，其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振会使得该亚微米颗粒表面的局域电磁场被极大增强。通过亚微米颗粒结构和纳米孔阵列结构之间的局域表面等离子体共振耦合作用能够使得半导体产生的载流子数量增强，从而提高半导体的光电流强度，提高灵敏度。

公开(公告)号：CN105244403A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510670067.0

申请日：2015-10-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈平 ,  卢亚宾 ,  刘伟伟 ,  张振中 ,  李博研 ,  赵东旭 ,  林列

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/075 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/202

Abstract: 一种非晶硅PIN光电池，包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。上述非晶硅PIN光电池，当亚微米银颗粒被入射光激发时，其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振效应，通过将亚微米银颗粒与依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层和p型非晶硅层结合相互作用，能够有效提高非晶硅PIN光电池的光谱响应能力。此外，还提供一种非晶硅PIN光电池的制备方法。