公开(公告)号：CN110931645A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201911306520.4

申请日：2019-12-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 丁毅 ,  田瀛 ,  吴燕 ,  候敏娜 ,  徐玉增 ,  黄茜 ,  侯国付 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和金属电极，所述空穴传输层为P型导电大分子聚合材料，所述P型导电大分子聚合材料包括PbI2嫁接的修饰层。本发明通过该修饰层表面，可有效降低钙钛矿前驱体溶液的表面张力，其原理是钙钛矿前驱体溶液中的有机铵卤化盐和嫁接在空穴传输材料表面上的PbI2之间产生吸引力。更重要的是，该修饰层改性策略对于大多数非润湿性的空穴传输层均有效;本发明提出的修饰层改性为制备高效的倒结构钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。

公开(公告)号：CN108428799A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810328542.X

申请日：2018-04-13

Applicant: 南开大学

Inventor： 丁毅 ,  刘琳 ,  田瀛 ,  徐玉增 ,  黄茜 ,  侯国付 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/50

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/4213

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种基于纳米晶体的有机/无机杂化p型半导体薄膜材料的设计及实现方法。该发明可以在保持有机半导体材料溶液法制备，柔性可折叠等诸多优势的前提下，通过在有机半导体材料中引入无机纳米晶体，在特定波长范围光照下，可以增加有机半导体材料中的空穴浓度、大幅提高其电导率。本发明可以分别通过改变有机半导体材料和无机纳米晶体质量比例，或者改变照射光子的能量及通量，来实现对有机/无机杂化p型半导体薄膜材料电学特性的调制。

公开(公告)号：CN110931645B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201911306520.4

申请日：2019-12-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 丁毅 ,  田瀛 ,  吴燕 ,  候敏娜 ,  徐玉增 ,  黄茜 ,  侯国付 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和金属电极，所述空穴传输层为P型导电大分子聚合材料，所述P型导电大分子聚合材料包括PbI2嫁接的修饰层。本发明通过该修饰层表面，可有效降低钙钛矿前驱体溶液的表面张力，其原理是钙钛矿前驱体溶液中的有机铵卤化盐和嫁接在空穴传输材料表面上的PbI2之间产生吸引力。更重要的是，该修饰层改性策略对于大多数非润湿性的空穴传输层均有效;本发明提出的修饰层改性为制备高效的倒结构钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。