公开(公告)号：CN102931244A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210482434.0

申请日：2012-11-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  白立沙 ,  王延峰 ,  张德坤 ,  黄茜 ,  魏长春 ,  侯国付

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种高绒度反射的导电白色背反射电极，由衬底、腐蚀出弹坑状的ZnO层、金属银层和ZnO界面层组成薄膜叠层结构，所述腐蚀出弹坑状的ZnO层为本征ZnO或掺杂Al、Ga、B、Mo、W的ZnO材料；其制备方法是：先在衬底上采用磁控溅射法制备ZnO薄膜，再用湿法腐蚀制绒工艺获得具有陷光作用的弹坑状陷光绒面层ZnO薄膜，然后依次银薄膜层和ZnO薄膜界面层。该高绒度反射特性的导电白色背反射电极陷光效果好，可同时实现宽光谱、高绒度反射，光利用率高；其制备方法工艺简单、易于实施；作为背反射电极用薄膜太阳电池，比传统的基于绒度金属铝来实现绒度反射制备的相同条件的电池短路电流密度提高了10%。

公开(公告)号：CN102664198A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210148419.2

申请日：2012-05-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  王延峰 ,  赵颖 ,  黄茜 ,  魏长春

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  C23C14/58

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种薄膜太阳电池用宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。该方法利用对沉积薄膜工艺过程的有效调控，实现宽光谱陷光ZnO薄膜的制备。首先在衬底上沉积ZnO薄膜，经过湿法腐蚀工艺处理后得到具有对长波光起陷光作用的大“弹坑状”的陷光绒面层；随后在其上再次生长ZnO薄膜，再经过湿法腐蚀工艺处理后得到对短波光起陷光作用的兼有小“弹坑状”的陷光绒面层，最后形成具有宽光谱陷光的氧化锌透明导电薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。

公开(公告)号：CN102637751A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210149194.2

申请日：2012-05-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  王延峰 ,  黄茜 ,  陈新亮 ,  魏长春

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法。该方法利用对沉积薄膜工艺过程的有效调控，实现具有宽光谱陷光的ZnO薄膜的制备。首先在衬底上沉积ZnO薄膜，经过湿法腐蚀工艺处理后得到具有大“弹坑状”的陷光绒面层；随后在陷光绒面层上采用MOCVD沉积技术再沉积一层兼有小“类金字塔”绒度的ZnO薄膜；最后形成具有宽光谱陷光的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。