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公开(公告)号：CN108677154A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810304108.8
申请日：2018-04-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种无焙烧Tl源制备Tl‑1223高温超导薄膜的方法。步骤包括：在衬底基片上准备Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶态的先驱膜；将先驱膜放入蓝宝石坩埚内进行高温退火，Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶态先驱膜转变成TlBa2Ca2Cu3O8（Tl‑1223）高温超导薄膜。本发明采用表面光滑的蓝宝石坩埚，提供的密闭空间，使得先驱膜内的Tl可以完全提供结晶所需的Tl氛围。这样不需焙烧Tl源，减少了不确定因素，可以稳定的制备出高质量的超导薄膜。本发明制备的Tl‑1223超导薄膜，具有生产成本低、工艺简单、对环境友好的优点；与Tl‑2212相比，在强磁场下工作具有优势，可用于制作无源微波器件及其他超导器件，也可用于科学研究等。
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公开(公告)号：CN106544636B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610999136.7
申请日：2016-11-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 无焙烧靶制备铊系高温超导薄膜的方法。本发明方法包括：在衬底基片上淀积Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶先驱薄膜；在流动的氧气气氛中，将非晶先驱薄膜放入密闭的人造蓝宝石坩埚中进行高温热处理，使Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶先驱薄膜转变为Tl2Ba2CaCu2O8(Tl‑2212)高温超导薄膜。本发明采用了表面光滑的蓝宝石坩埚，使得贴合更加紧密，密闭性变强，非晶先驱薄膜中的铊元素含量即可提供结晶所需要的成分。这样不需要含铊源的焙烧靶，减少了不确定因素，使得制作出来的超导薄膜质量稳定。本发明制作的Tl‑2212超导薄膜，可用于制作微波无源器件，也可用于制作其他超导器件和进行科学研究等。
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公开(公告)号：CN108677154B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810304108.8
申请日：2018-04-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种无焙烧Tl源制备Tl‑1223高温超导薄膜的方法。步骤包括：在衬底基片上准备Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶态的先驱膜；将先驱膜放入蓝宝石坩埚内进行高温退火，Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶态先驱膜转变成TlBa2Ca2Cu3O8（Tl‑1223）高温超导薄膜。本发明采用表面光滑的蓝宝石坩埚，提供的密闭空间，使得先驱膜内的Tl可以完全提供结晶所需的Tl氛围。这样不需焙烧Tl源，减少了不确定因素，可以稳定的制备出高质量的超导薄膜。本发明制备的Tl‑1223超导薄膜，具有生产成本低、工艺简单、对环境友好的优点；与Tl‑2212相比，在强磁场下工作具有优势，可用于制作无源微波器件及其他超导器件，也可用于科学研究等。
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公开(公告)号：CN106544636A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610999136.7
申请日：2016-11-14
Applicant: 南开大学
CPC classification number: C23C14/352 , H01B12/06 , H01B13/00
Abstract: 无焙烧靶制备铊系高温超导薄膜的方法。本发明方法包括：在衬底基片上淀积Tl-Ba-Ca-Cu-O非晶先驱薄膜；在流动的氧气气氛中，将非晶先驱薄膜放入密闭的人造蓝宝石坩埚中进行高温热处理，使Tl-Ba-Ca-Cu-O非晶先驱薄膜转变为Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)高温超导薄膜。本发明采用了表面光滑的蓝宝石坩埚，使得贴合更加紧密，密闭性变强，非晶先驱薄膜中的铊元素含量即可提供结晶所需要的成分。这样不需要含铊源的焙烧靶，减少了不确定因素，使得制作出来的超导薄膜质量稳定。本发明制作的Tl-2212超导薄膜，可用于制作微波无源器件，也可用于制作其他超导器件和进行科学研究等。
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