公开(公告)号：CN117580439A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311482415.2

申请日：2023-11-09

Applicant: 南开大学

Inventor： 罗锋 ,  徐凌云 ,  吴金雄 ,  高战胜

IPC: H10N50/01 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  C23C16/448 ,  H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/20

Abstract: 本发明公开了一种原位制备Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结的方法，属于二维铁磁‑非磁材料领域。该新型Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结的制备方法是以Te块和CrCl3粉末为原料，以氩气和微量氢气为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积得到Cr1‑xTe晶态二维晶体之后，再进行原位低温Te化，即得到所述Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结。该异质结制备方法，简单可控，经济快捷，所得异质结不仅厚度可控、实现铁磁和非磁材料间高质量界面的精确控制，而且可以显著提高Cr1‑xTe晶体材料的空气热稳定性。因此本研究不仅成功地解决了铁磁‑非磁异质结领域内长期存在的一些关键技术挑战，也提供了一种具有明显优势和广泛应用前景的新型制备方法，在自旋电子学领域具有重要研究价值。

公开(公告)号：CN117577538A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311482285.2

申请日：2023-11-09

Applicant: 南开大学

Inventor： 罗锋 ,  徐凌云 ,  吴金雄

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于溶液辅助旋涂法的超薄原子级平整Ga2O3薄膜的制备方法，属于半导体薄膜材料领域。该Ga2O3薄膜的制备方法是以Ga(NO3)3·xH2O和乙二醇(CH2OH)2为原料，将Ga(NO3)3·xH2O溶解于(CH2OH)2中，形成无色透明溶液。该溶液经过旋涂涂覆于选定基底上，并在大气环境中经过退火处理，从而得到目标Ga2O3薄膜。本方法不仅经济高效且操作简便，而且能够精确地控制薄膜厚度至最薄3nm。更为引人注目的是，该合成方法产生的Ga2O3薄膜在厘米级别的基底上展示出高度均匀和原子级平整的特性。这一研究成果在半导体薄膜领域具有显著的学术和应用价值。