公开(公告)号：CN101752435A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910244846.9

申请日：2009-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  张丽平 ,  倪牮 ,  曹宇 ,  王先宝 ,  赵颖 ,  耿新华

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N+层、背反射电极和金属电极，本征层I为微晶硅锗薄膜；该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、锗烷、氟化锗和氢气的条件下，沉积微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：该硅基薄膜电池结构新颖；制备的微晶硅锗薄膜材料具有窄带隙、低缺陷、高光敏性的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。

公开(公告)号：CN101736321A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910244848.8

申请日：2009-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  张丽平 ,  倪牮 ,  曹宇 ,  王先宝 ,  赵颖 ,  耿新华

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，包括下述步骤：1)将带有T的玻璃衬底G放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷和锗烷、稀释气体氦气和氢气的条件下，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积微晶硅锗薄膜，气体的流量为：硅烷(5-10)sccm、锗烷(0.5-1.0)sccm、氢气(100-200)sccm、氦气与氢气的流量比为1∶1～5。本发明的有益效果是：该法制备的微晶硅锗薄膜具有窄带隙、低缺陷和高光敏性等优点，且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。