公开(公告)号：CN101562215B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200910069034.5

申请日：2009-05-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  孙福和 ,  赵颖 ,  许盛之 ,  王光红 ,  魏长春 ,  孙建 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/505 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。

公开(公告)号：CN101562215A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910069034.5

申请日：2009-05-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  孙福和 ,  赵颖 ,  许盛之 ,  王光红 ,  魏长春 ,  孙建 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/02 ,  H01L31/06 ,  C23C16/505 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。