公开(公告)号：CN109182971B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201810757314.4

申请日：2018-07-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  周忠信 ,  李盛喆

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种利用反应等离子沉积技术生长宽光谱MGZO‑TCO薄膜的方法及其应用，属于光电子器件领域。以组分纯度为99.99％的MgO和Ga2O3掺杂的ZnO靶材即ZnO:Ga2O3:MgO陶瓷靶作为靶材原料，溅射气体为Ar气，镀膜过程中引入少量H2或O2，基片偏压0‑150V；衬底温度为室温‑200度，得到结构为glass/MGZO薄膜。器件界面生长缓冲层SnOx，获得复合结构SnOx/MGZO薄膜。本发明薄膜具有宽光谱透过率，并且维持优良的电学特性和表面结构，应用于晶硅异质结太阳电池器件，可提高晶体硅异质结太阳电池等器件效率。

公开(公告)号：CN109182971A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810757314.4

申请日：2018-07-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  周忠信 ,  李盛喆

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种利用反应等离子沉积技术生长宽光谱MGZO-TCO薄膜的方法及其应用，属于光电子器件领域。以组分纯度为99.99％的MgO和Ga2O3掺杂的ZnO靶材即ZnO:Ga2O3:MgO陶瓷靶作为靶材原料，溅射气体为Ar气，镀膜过程中引入少量H2或O2，基片偏压0-150V；衬底温度为室温-200度，得到结构为glass/MGZO薄膜。器件界面生长缓冲层SnOx，获得复合结构SnOx/MGZO薄膜。本发明薄膜具有宽光谱透过率，并且维持优良的电学特性和表面结构，应用于晶硅异质结太阳电池器件，可提高晶体硅异质结太阳电池等器件效率。