公开(公告)号：CN102659752B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201210113797.7

申请日：2012-04-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 田波 ,  黄维 ,  傅妮娜 ,  赵保敏 ,  黄红艳

IPC: C07D333/08 ,  C07C15/20 ,  C07C2/88 ,  C07C43/205 ,  C07C41/30 ,  C07D333/18

Abstract: 本发明公开了一类并四苯衍生物场效应晶体管材料及其制备方法，其结构可由通式(Ⅰ)表示：其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基；R是烷基、烷氧基、烷硫基等取代基中的一种。本发明的并四苯衍生物可以通过Sonogashira偶联反应和Bergman环化反应合成。本发明的并四苯衍生物具有较高的稳定性和溶解性，而且可以提高OFETs器件的迁移率。

公开(公告)号：CN102659752A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210113797.7

申请日：2012-04-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 田波 ,  黄维 ,  傅妮娜 ,  赵保敏 ,  黄红艳

IPC: C07D333/08 ,  C07C15/20 ,  C07C2/88 ,  C07C43/205 ,  C07C41/30 ,  C07D333/18

Abstract: 本发明公开了一类并四苯衍生物场效应晶体管材料及其制备方法，其结构可由通式(Ⅰ)表示：其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基；R是烷基、烷氧基、烷硫基等取代基中的一种。本发明的并四苯衍生物可以通过Sonogashira偶联反应和Bergman环化反应合成。本发明的并四苯衍生物具有较高的稳定性和溶解性，而且可以提高OFETs器件的迁移率。

公开(公告)号：CN102516994B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201110421734.3

申请日：2011-12-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 梅群波 ,  王玲霞 ,  黄维 ,  郭远辉 ,  颜芳 ,  田波

IPC: C09K11/06 ,  C07D239/93 ,  G01N21/76

Abstract: 本发明为一类用于汞离子检测的荧光化学传感器及制备和应用方法，具体是基于2-取代喹唑啉-4(3H)-硫酮衍生物的汞离子荧光化学传感器。本发明涉及的荧光化学传感器是基于2-取代喹唑啉-4(3H)-硫酮衍生物，其结构可由式(Ⅰ)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的荧光化学传感器可用于Hg2+的检测，通过Hg2+对2-取代喹唑啉-4(3H)-硫酮衍生物光物理、电化学和溶液颜色的影响，实现对Hg2+的高灵敏度、高选择性、重复使用，以及通过明显的颜色变化实现裸眼识别的效果。

公开(公告)号：CN102516994A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110421734.3

申请日：2011-12-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 梅群波 ,  王玲霞 ,  黄维 ,  郭远辉 ,  颜芳 ,  田波

IPC: C09K11/06 ,  C07D239/93 ,  G01N21/76

Abstract: 本发明为一类用于汞离子检测的荧光化学传感器及制备和应用方法，具体是基于2-取代喹唑啉-4(3H)-硫酮衍生物的汞离子荧光化学传感器。本发明涉及的荧光化学传感器是基于2-取代喹唑啉-4(3H)-硫酮衍生物，其结构可由式(Ⅰ)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的的荧光化学传感器可用于Hg2+的检测，通过Hg2+对2-取代喹唑啉-4(3H)-硫酮衍生物光物理、电化学和溶液颜色的影响，实现对Hg2+的高灵敏度、高选择性、重复使用，以及通过明显的颜色变化实现裸眼识别的效果。