公开(公告)号：CN119918279A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510028333.3

申请日：2025-01-08

Applicant: 南京林业大学

Inventor： 何晶晶 ,  刘凌霄 ,  曹沁玥 ,  顾珺依 ,  胡袁昊 ,  伍依雯 ,  郭艳东 ,  颜晓红 ,  花敏

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/17 ,  G06F17/16 ,  G16C10/00 ,  G16C60/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二维MnBi2Te4的磁性隧道结的设计方法，包以下步骤：（1）计算MnBi2Te4和MoSi2N4的结构与电子结构，确定MnBi2Te4和MoSi2N4的电子性质；（2）对MnBi2Te4和MoSi2N4进行扩胞操作，搭建器件模型；（3）对器件模型进行优化；（4）改变MnBi2Te4的磁矩，获取平行和反平行两种构型，计算两种构型下的I‑V曲线；（5）基于所得的I‑V曲线计算磁阻率；计算沿电子传输方向的自旋分辨投影态密度，分析磁阻来源；（6）得到解决读写问题冲突的理论模型；本发明提高了磁阻率。

公开(公告)号：CN119380864A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411408153.X

申请日：2024-10-10

Applicant: 南京林业大学

Inventor： 何晶晶 ,  董佳贝 ,  张颖 ,  曹沁玥 ,  刘凌霄 ,  顾珺依

IPC: G16C20/50 ,  H10N19/00 ,  H10N59/00 ,  G16C60/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硼磷掺杂下SiC7纳米带的自旋热电转换与自旋过滤电子器件的设计方法，包括以下步骤：(1)利用软件Device Studio搭建不同纳米带宽的单氢原子终端SiC7纳米带一维原胞；(2)利用DS‑PAW软件对SiC7纳米带一维原胞进行几何结构的优化；(3)使用软件Nanodcal计算SiC7纳米带一维原胞的电子性质；(4)用纳米带宽为9的SiC7纳米带搭建由左电极‑中心散射区‑右电极三部分构成的纳米电子器件；(5)对(4)中的纳米电子器件进行三种方式的原子替换掺杂；(6)计算并分析上述四种纳米电子器件的透射谱，计算对比四种纳米带器件的实空间散射态，得到不同掺杂情况对纳米带自旋电子透射情况的影响；(7)将在上边缘掺杂BP原子且在下边缘掺杂B原子的SiC7纳米带在铁磁态下设计成为热电转换器件；(8)改变上下边缘同时掺杂的SiC7纳米带的磁态，计算反铁磁态下的透射谱与自旋极化电流，设计成自旋过器件；本发明扩展了SiC7材料在自旋电子学中的应用空间。