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公开(公告)号：CN119380864A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411408153.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 南京林业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硼磷掺杂下SiC7纳米带的自旋热电转换与自旋过滤电子器件的设计方法，包括以下步骤：(1)利用软件Device Studio搭建不同纳米带宽的单氢原子终端SiC7纳米带一维原胞；(2)利用DS‑PAW软件对SiC7纳米带一维原胞进行几何结构的优化；(3)使用软件Nanodcal计算SiC7纳米带一维原胞的电子性质；(4)用纳米带宽为9的SiC7纳米带搭建由左电极‑中心散射区‑右电极三部分构成的纳米电子器件；(5)对(4)中的纳米电子器件进行三种方式的原子替换掺杂；(6)计算并分析上述四种纳米电子器件的透射谱，计算对比四种纳米带器件的实空间散射态，得到不同掺杂情况对纳米带自旋电子透射情况的影响；(7)将在上边缘掺杂BP原子且在下边缘掺杂B原子的SiC7纳米带在铁磁态下设计成为热电转换器件；(8)改变上下边缘同时掺杂的SiC7纳米带的磁态，计算反铁磁态下的透射谱与自旋极化电流，设计成自旋过器件；本发明扩展了SiC7材料在自旋电子学中的应用空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119026550A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411086518.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 南京林业大学
Abstract: 本发明公开一种基于C3Al异质结的整流二极管及其设计方法，属于纳电子技术领域；一种基于C3Al异质结的整流二极管的设计方法包括：将C3Al纳米带裁剪为三种边缘形态；对所述三种边缘形态的C3Al纳米带计算能带结构图；使用所述三种边缘形态的C3Al纳米带来分别搭建异质结器件；计算所述异质结器件在不同电压下的电流值；利用器件的电流值设计整流二极管；基于不同边缘的C3Al纳米带搭建的异质结器件中出现负微分电阻效应和整流现象，大大丰富了C3Al纳米带在电子器件领域的应用。
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公开(公告)号：CN119052924B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411205182.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 南京林业大学
IPC: H04W72/044 , H04W72/0453 , H04W72/0457 , H04W72/541 , H04B7/06
Abstract: 本发明公开一种PD‑NOMA系统用户分组和功率分配方法，方法包括：获取PD‑NOMA系统的总用户数、各用户对应的接收端符号信噪比以及分组门限参数；根据各用户对应的接收端符号信噪比和分组门限参数，通过设定的分组方案得到第一分组；将第一分组内的用户从总用户数中剔除，基于剩余的用户，通过设定的分组方案继续进行分组，直至所有用户完成分组；基于得到的用户分组，确定功率分配系数，得到各组的信道容量以及各组内用户的功率分配。提供PD‑NOMA系统下多用户场景的分组方案、用户设备能够成组共享相同频谱资源的约束条件、共享同一频谱资源的用户设备的功率分配方案以及接收端的解码顺序方案。
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公开(公告)号：CN119052924A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411205182.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 南京林业大学
IPC: H04W72/044 , H04W72/0453 , H04W72/0457 , H04W72/541 , H04B7/06
Abstract: 本发明公开一种PD‑NOMA系统用户分组和功率分配方法，方法包括：获取PD‑NOMA系统的总用户数、各用户对应的接收端符号信噪比以及分组门限参数；根据各用户对应的接收端符号信噪比和分组门限参数，通过设定的分组方案得到第一分组；将第一分组内的用户从总用户数中剔除，基于剩余的用户，通过设定的分组方案继续进行分组，直至所有用户完成分组；基于得到的用户分组，确定功率分配系数，得到各组的信道容量以及各组内用户的功率分配。提供PD‑NOMA系统下多用户场景的分组方案、用户设备能够成组共享相同频谱资源的约束条件、共享同一频谱资源的用户设备的功率分配方案以及接收端的解码顺序方案。
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公开(公告)号：CN119918279A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510028333.3
申请日：2025-01-08
Applicant: 南京林业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维MnBi2Te4的磁性隧道结的设计方法，包以下步骤：（1）计算MnBi2Te4和MoSi2N4的结构与电子结构，确定MnBi2Te4和MoSi2N4的电子性质；（2）对MnBi2Te4和MoSi2N4进行扩胞操作，搭建器件模型；（3）对器件模型进行优化；（4）改变MnBi2Te4的磁矩，获取平行和反平行两种构型，计算两种构型下的I‑V曲线；（5）基于所得的I‑V曲线计算磁阻率；计算沿电子传输方向的自旋分辨投影态密度，分析磁阻来源；（6）得到解决读写问题冲突的理论模型；本发明提高了磁阻率。
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公开(公告)号：CN119026550B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411086518.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 南京林业大学
Abstract: 本发明公开一种基于C3Al异质结的整流二极管及其设计方法，属于纳电子技术领域；一种基于C3Al异质结的整流二极管的设计方法包括：将C3Al纳米带裁剪为三种边缘形态；对所述三种边缘形态的C3Al纳米带计算能带结构图；使用所述三种边缘形态的C3Al纳米带来分别搭建异质结器件；计算所述异质结器件在不同电压下的电流值；利用器件的电流值设计整流二极管；基于不同边缘的C3Al纳米带搭建的异质结器件中出现负微分电阻效应和整流现象，大大丰富了C3Al纳米带在电子器件领域的应用。
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