公开(公告)号：CN103938183B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201410177089.9

申请日：2014-04-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱顺明 ,  印杰 ,  顾书林 ,  叶建东 ,  汤琨 ,  黄时敏 ,  郑有炓

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/52

Abstract: 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排净反应室中的空气；充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理；高温预处理的温度为1000℃-1200℃，处理时间为3min-8min；将衬底降温到适合ZnO缓冲层薄膜生长的温度，使用高纯二甲基锌作为Zn源，叔丁醇t-BuOH作为O源，在MOCVD设备中生长ZnO缓冲层；ZnO薄膜生长是选用N2作为稀释气体，同时加入适当流量的H2；采用LP－MOCVD技术在ZnO缓冲层上生长ZnO。

公开(公告)号：CN103938183A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410177089.9

申请日：2014-04-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱顺明 ,  印杰 ,  顾书林 ,  叶建东 ,  汤琨 ,  黄时敏 ,  郑有炓

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/52

Abstract: 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排净反应室中的空气；充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理；高温预处理的温度为1000℃-1200℃，处理时间为3min-8min；将衬底降温到适合ZnO缓冲层薄膜生长的温度，使用高纯二甲基锌作为Zn源，叔丁醇t-BuOH作为O源，在MOCVD设备中生长ZnO缓冲层；ZnO薄膜生长是选用N2作为稀释气体，同时加入适当流量的H2；采用LP－MOCVD技术在ZnO缓冲层上生长ZnO。

公开(公告)号：CN104790033A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510158938.0

申请日：2015-04-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤琨 ,  朱顺明 ,  顾然 ,  顾书林 ,  叶建东 ,  黄时敏 ,  姚峥嵘 ,  郑有炓

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/20

Abstract: 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，采用二甲基锌和叔丁醇分别作锌源和氧源，高纯氮气作载气和稀释气，DMZn和t-BuOH的流速分别为10-40SCCM和100-400SCCM，生长过程中，反应腔压力为15–30kPa；生长时间决定膜的厚度，一般生长时间为15–60min；4)对生长的ZnO薄膜进行适当的原位热处理。