公开(公告)号：CN114843337A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210478107.1

申请日：2022-04-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐尉宗 ,  柏宇 ,  陆海 ,  杜永浩 ,  任芳芳 ,  周峰 ,  周东

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。所述双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管包括异质结构以及源电极、漏电极、主栅电极和副栅电极；所述异质结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，所述沟道层和势垒层之间形成有二维电子气；所述主栅电极和副栅电极分别设置在所述势垒层的主栅电极区域和副栅电极区域，所述势垒层副栅电极区域具有凹槽结构，所述副栅电极的局部设置在所述凹槽结构，所述副栅电极与所述二维电子气形成肖特基二极管。本发明实施例提供的双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管，实现了器件第三象限导通能力和栅极可靠性的提升，提高了器件的高可靠、高能效工作能力。

公开(公告)号：CN112230115A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011088858.X

申请日：2020-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  柏宇 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。

公开(公告)号：CN112230115B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202011088858.X

申请日：2020-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  柏宇 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。