公开(公告)号：CN110415974B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910645580.2

申请日：2019-07-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  房昌 ,  王梅 ,  曹燕强 ,  吴迪

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/08 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/00 ,  H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米叠层结构金属氧化物柔性电容器及其制备方法，属于微纳电子技术－高密度电容器领域，利用低温PEALD方法制备基于Al‑Hf‑Sn‑Ti‑Al‑O纳米叠层结构超薄金属氧化物的柔性电容器，制备的电容器既具有较高的电容密度，同时又具有较低的漏电流密度和电压线性度，而且可根据实际需要选择不同的制备条件可得到不同性能的柔性电容器。本发明利用低温PEALD制备方法，在80℃生长工艺下，通过调控金属前驱体脉冲序列循环比和循环数，获得了介质层厚度为20‑30纳米厚的Al‑Hf‑Sn‑Ti‑Al‑O纳米叠层结构电容器，所述电容器既具有较高的电容密度3~10 fF/μm2，同时又具有较低的漏电流密度10‑7~10‑8 A/cm2和电压线性度

公开(公告)号：CN110415974A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910645580.2

申请日：2019-07-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  房昌 ,  王梅 ,  曹燕强 ,  吴迪

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/08 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/00 ,  H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米叠层结构金属氧化物柔性电容器及其制备方法，属于微纳电子技术－高密度电容器领域，利用低温PEALD方法制备基于Al-Hf-Sn-Ti-Al-O纳米叠层结构超薄金属氧化物的柔性电容器，制备的电容器既具有较高的电容密度，同时又具有较低的漏电流密度和电压线性度，而且可根据实际需要选择不同的制备条件可得到不同性能的柔性电容器。本发明利用低温PEALD制备方法，在80℃生长工艺下，通过调控金属前驱体脉冲序列循环比和循环数，获得了介质层厚度为20-30纳米厚的Al-Hf-Sn-Ti-Al-O纳米叠层m度2结，