公开(公告)号：CN110350098A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910641427.2

申请日：2019-07-16

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  王志斌 ,  孙文达 ,  王福芝

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了一种空穴传输层，由碳量子点制备而成。本发明通过使用碳量子点作为钙钛矿发光二极管的空穴传输层，具有优异的空穴传输性能和匹配的能级，且不需要额外的氧等离子体处理或者界面层修饰即可直接在上面制备钙钛矿发光层。碳量子点表面的官能团还可以有效抑制空穴传输层与钙钛矿发光层之间的激子淬灭效应，从而制备出高效稳定的钙钛矿发光二极管。

公开(公告)号：CN110391354A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910515792.9

申请日：2019-06-14

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 王福芝 ,  旺振业 ,  孙文达 ,  王志斌 ,  谭占鳌

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法，包括：氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物置于溶剂中，混合，搅拌，得到混合溶液；将上述混合溶液旋涂在量子点发光层上，退火，得到电子传输层。本发明将乙酰丙酮螯合物作为电子传输层的掺杂材料，并制备电子传输层薄膜。与未经掺杂的器件相比，乙酰丙酮螯合物的掺入显著的降低了电子迁移率。通过对电子传输层的掺杂修饰，使得电子和空穴的传输注入更加平衡，使得亮度和效率有了显著的提升。从制作工艺角度，本发明没有引入额外的电子阻挡层，仅仅通过往电子传输层中掺入乙酰丙酮螯合物，就实现了对电子传输的调整。本发明操作简单，效果显著，可重复性高，适用于大规模商业化生产。

公开(公告)号：CN105470400B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510802508.8

申请日：2015-11-19

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  郭强 ,  王志斌 ,  李聪 ,  王福芝 ,  戴松元

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明属于钙钛矿光电材料与器件技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法和应用。所述钙钛矿膜的制备方法为：将铅源和胺盐分别溶于有机溶剂中，得到铅源前驱体溶液和胺盐前驱体溶液；将上述两种前驱体溶液分别旋涂于两个基底上，加热除去溶剂，得到均匀的膜；将两片膜对贴，中间用垫片隔开，并形成近距离空间，真空加热使胺盐升华与铅源反应，得到钙钛矿膜。该方法可用于制备钙钛矿太阳电池的钙钛矿膜和钙钛矿发光器件的钙钛矿膜。与传统的一步法和两步法相比，采用本方法制备的钙钛矿层具有更好的形貌，适合于制备大面积的光电器件，应用到器件中显著地提高了器件的性能和实验的批次重复性。

公开(公告)号：CN106340595A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610917137.2

申请日：2016-10-20

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  程泰 ,  王志斌 ,  金胜利

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/50 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于量子点发光二极管材料与器件领域，具体涉及一种蓝光量子点发光二极管及其制备方法。本发明的蓝光量子点发光二极管由衬底、透明导电金属氧化物阳极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和部分自然氧化的铝薄膜阴极层顺次相连。本发明将部分自然氧化的铝薄膜作为蓝光量子点发光二极管的阴极，显著地降低了电子从阴极到量子点的注入势垒，提高了电子注入性能，器件的亮度与效率产生可观的提升。另外，本发明制备阴极的方法操作简单、成本低、实验重复性好，器件不需额外制备电子传输层就能具备优良性能，较普通低功函阴极，空气稳定性佳。

公开(公告)号：CN105470400A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510802508.8

申请日：2015-11-19

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 谭占鳌 ,  郭强 ,  王志斌 ,  李聪 ,  王福芝 ,  戴松元

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/0002

Abstract: 本发明属于钙钛矿光电材料与器件技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法和应用。所述钙钛矿膜的制备方法为：将铅源和胺盐分别溶于有机溶剂中，得到铅源前驱体溶液和胺盐前驱体溶液；将上述两种前驱体溶液分别旋涂于两个基底上，加热除去溶剂，得到均匀的膜；将两片膜对贴，中间用垫片隔开，并形成近距离空间，真空加热使胺盐升华与铅源反应，得到钙钛矿膜。该方法可用于制备钙钛矿太阳电池的钙钛矿膜和钙钛矿发光器件的钙钛矿膜。与传统的一步法和两步法相比，采用本方法制备的钙钛矿层具有更好的形貌，适合于制备大面积的光电器件，应用到器件中显著地提高了器件的性能和实验的批次重复性。