一种量子点发光二极管及制作方法

    公开(公告)号:CN114583087A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210372331.2

    申请日:2022-04-11

    Abstract: 本发明提供了一种量子点发光二极管及制作方法,量子点发光二极管包括顶发射量子点发光二极管与底发射量子点发光二极管两种结构,在顶发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层或者在底发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层,增加光路调整层不仅可以增加量子点发光二极管发出的光的出射截面面积,而且该光路调整层还可以对量子点发光二极管发出的光进行折射,从而对光进行光路调整,光路的调整可以提高光的出射几率并且可以提高器件各个角度的出光均匀性。增加光的出射面积、提高光的出射几率以及提高器件各个角度的出光均匀性可以让该量子点发光二极管的光提取效率得到了明显提升。

    一种钙钛矿发光二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN112382731B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202011263340.5

    申请日:2020-11-12

    Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿发光二极管,包括:衬底;依次设置在所述衬底一侧的阴极层、电子传输层、界面钝化层、钙钛矿发光层、空穴传输层和阳极层;其中,所述界面钝化层由乙酰丙酮金属螯合物采用溶液旋涂法制备而成。也就是说,通过在电子传输层和钙钛矿发光层之间制备由乙酰丙酮金属螯合物采用溶液旋涂法制备而成的界面钝化层,可以钝化钙钛矿表面的缺陷,减少钙钛矿发光层的淬灭,使钙钛矿发光层保持较高的荧光量子产率,从而制备出高效稳定的钙钛矿发光二极管。

    一种钙钛矿发光二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN112382731A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011263340.5

    申请日:2020-11-12

    Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿发光二极管,包括:衬底;依次设置在所述衬底一侧的阴极层、电子传输层、界面钝化层、钙钛矿发光层、空穴传输层和阳极层;其中,所述界面钝化层由乙酰丙酮金属螯合物采用溶液旋涂法制备而成。也就是说,通过在电子传输层和钙钛矿发光层之间制备由乙酰丙酮金属螯合物采用溶液旋涂法制备而成的界面钝化层,可以钝化钙钛矿表面的缺陷,减少钙钛矿发光层的淬灭,使钙钛矿发光层保持较高的荧光量子产率,从而制备出高效稳定的钙钛矿发光二极管。

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