一种光电催化还原CO2光电极Cu-B/ILs/SiNWs的制备方法

    公开(公告)号:CN118480813A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410686935.3

    申请日:2024-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种光电催化还原CO2光电极Cu‑B/ILs/SiNWs的制备方法,属于光电催化还原CO2技术领域,包括以下步骤:S1、采用金属辅助化学刻蚀法制备SiNWs;S2、采用电化学沉积法,基于SiNWs制备Cu‑B/ILs/SiNWs光电极;S3、对Cu‑B/ILs/SiNWs光电极的光电化学性能测试;本发明通过以SiNWs作为光电极基底材料,提高催化材料的光学吸收性能和电子传输性能;以非金属B和功能化离子液体共修饰金属Cu,调控Cu催化剂的表面电子结构,改善Cu在SiNWs基底上的形貌和分散性,从提升催化材料稳定性、加快电子传输速率和提高活化CO2能力等方面提高光电催化还原CO2的活性和选择性,对实现其工业化应用有重要的研究意义。

    一种氧化铋光阳极薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114618472B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202210021611.9

    申请日:2022-01-10

    Abstract: 本发明涉及光催化/光电催化技术领域,具体涉及一种光谱吸收范围可调的氧化铋光阳极薄膜及其制备方法,采用以下步骤:(1)将Bi(NO3)3∙5H2O和柠檬酸溶解于硝酸水溶液中,通过水热反应得到碳酸氧铋;(2)取碳酸氧铋混合液在导电玻璃上进行旋涂,煅烧,得到氧化铋薄膜电极;(3)将氧化铋薄膜电极置于反应器中,氧化铋薄膜电极为工作电极,参比电极为饱和甘汞电极,对电极为石墨棒电极,光源为可见光,对工作电极施加1.0‑3.0 V偏压进行阳极氧化处理,得到氧化铋光阳极薄膜。本发明通过对氧化铋薄膜进行阳极氧化处理,使氧化铋薄膜中部分Bi3+转化为Bi5+,有效减小氧化铋薄膜禁带宽度,大幅拓宽氧化铋薄膜对可见光的吸收响应。

    掺Sr/Ag微弧氧化涂层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111945207B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201910415412.4

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种掺Sr/Ag微弧氧化涂层及其制备方法和应用,掺Sr/Ag微弧氧化涂层的制备方法,包括以下步骤:采用微弧氧化法对钛基体处理10~15min,在所述钛基体上形成掺Sr/Ag微弧氧化涂层,其中,微弧氧化法对钛基体处理的方法为:在所述电解槽内放置电解液,将所述钛基体置于电解液中进行电解,所述钛基体作为阳极,所述电解槽作为阴极,所述电解液为锶盐、银盐、氯铂酸与水混合后形成的溶液。本发明通过微弧氧化法一步制备掺Sr/Ag的微弧氧化涂层,该掺Sr/Ag微弧氧化涂层具有较好的成骨活性和抗菌活性,能够促进成骨细胞的增殖与分化,有助于细胞的早期粘附,具备抗菌能力,尤其对金黄色葡萄球菌的抗菌作用明显。

    掺Sr/Ag微弧氧化涂层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111945207A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201910415412.4

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种掺Sr/Ag微弧氧化涂层及其制备方法和应用,掺Sr/Ag微弧氧化涂层的制备方法,包括以下步骤:采用微弧氧化法对钛基体处理10~15min,在所述钛基体上形成掺Sr/Ag微弧氧化涂层,其中,微弧氧化法对钛基体处理的方法为:在所述电解槽内放置电解液,将所述钛基体置于电解液中进行电解,所述钛基体作为阳极,所述电解槽作为阴极,所述电解液为锶盐、银盐、氯铂酸与水混合后形成的溶液。本发明通过微弧氧化法一步制备掺Sr/Ag的微弧氧化涂层,该掺Sr/Ag微弧氧化涂层具有较好的成骨活性和抗菌活性,能够促进成骨细胞的增殖与分化,有助于细胞的早期粘附,具备抗菌能力,尤其对金黄色葡萄球菌的抗菌作用明显。

    一种氧化铋光阳极薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114618472A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202210021611.9

    申请日:2022-01-10

    Abstract: 本发明涉及光催化/光电催化技术领域,具体涉及一种光谱吸收范围可调的氧化铋光阳极薄膜及其制备方法,采用以下步骤:(1)将Bi(NO3)3∙5H2O和柠檬酸溶解于硝酸水溶液中,通过水热反应得到碳酸氧铋;(2)取碳酸氧铋混合液在导电玻璃上进行旋涂,煅烧,得到氧化铋薄膜电极;(3)将氧化铋薄膜电极置于反应器中,氧化铋薄膜电极为工作电极,参比电极为饱和甘汞电极,对电极为石墨棒电极,光源为可见光,对工作电极施加1.0‑3.0 V偏压进行阳极氧化处理,得到氧化铋光阳极薄膜。本发明通过对氧化铋薄膜进行阳极氧化处理,使氧化铋薄膜中部分Bi3+转化为Bi5+,有效减小氧化铋薄膜禁带宽度,大幅拓宽氧化铋薄膜对可见光的吸收响应。

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