公开(公告)号：CN101071248A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710008940.5

申请日：2007-04-29

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吴文士 ,  戴劲草 ,  林建明 ,  黄婷婷 ,  兰心仁

IPC: G02F1/361 ,  C07D213/89 ,  C30B7/02

Abstract: 本发明公开一种新型的二阶非线性激光材料4－硝基－N－氧－2－吡啶甲酸二代晶体及其生长方法和用途。该晶体属于正交晶系，空间群为P 212121，晶体学参数：a＝5.5509，b＝9.8139，c＝13.2554，V＝722.13，Z＝4。该晶体熔点达到162.5－163.5℃，优于POA和POM。该晶体用于将波长为1064nm的激光转换至532nm。

公开(公告)号：CN103351379B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201310279133.2

申请日：2013-07-04

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吴文士 ,  刘国祥 ,  李传辉

IPC: C07D333/38 ,  C30B7/06 ,  C30B29/54 ,  G02F1/361

Abstract: 本发明提供一种二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体的生长方法，所述该晶体属于正交晶系，空间群为P212121，Mr=198.24，晶体学参数:Z=4,N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N-(2-噻吩甲酰)肼基平和丙酰基平面构成；其生长方法如下：在N-(2-噻吩甲酰)肼上引入丙酰基，然后将生成的N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶于仿醇混合溶剂中，并于室温下蒸发至饱和，取出饱和N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶液置于比色皿中，并施加36V的直流电压，蒸发，生长出籽晶，然后转移到培养槽，同样仿醇混合溶剂蒸发得到柱状晶体N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼。

公开(公告)号：CN103351378A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310279096.5

申请日：2013-07-04

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吴文士 ,  刘国祥 ,  李传辉

IPC: C07D333/38 ,  G02F1/361

Abstract: 本发明提供一种二阶非线性激光晶体N,N’-乙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其制备方法和应用，g该晶体属于正交晶系，空间群为C cc2，分子式C7H8N2O2S，Mr=184.21，晶体学参数:Z=8，所述N,N’-乙酰-(2-噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N-(2-噻吩甲酰)肼基平面和乙酰基平面构成；其制备方法如下：在N-(2-噻吩甲酰)肼上引入乙酰基，然后将生成的N,N’-乙酰-(2-噻吩甲酰)肼溶于仿醇混合溶剂中，且所述仿醇混合溶剂中氯仿∶甲醇=1∶1，并于室温下蒸发至近饱和，再置于10℃下缓慢蒸发得到片状晶体N,N’-乙酰-(2-噻吩甲酰)肼。本发明晶体熔点高，达到180.5-181.5℃，应用范围更广。

公开(公告)号：CN103351379A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310279133.2

申请日：2013-07-04

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吴文士 ,  刘国祥 ,  李传辉

IPC: C07D333/38 ,  C30B7/06 ,  C30B29/54 ,  G02F1/361

Abstract: 本发明提供一种二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其生长方法和应用，所述该晶体属于正交晶系，空间群为P212121，Mr=1988.24，晶体学参数:Z=4,N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N-(2-噻吩甲酰)肼基平和丙酰基平面构成；其生长方法如下：在N-(2-噻吩甲酰)肼上引入丙酰基，然后将生成的N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶于仿醇混合溶剂中，并于室温下蒸发至饱和，取出饱和N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶液置于比色皿中，并施加36V的直流电压，蒸发，生长出籽晶，然后转移到培养槽，同样仿醇混合溶剂蒸发得到柱状晶体N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼。

公开(公告)号：CN100562792C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200710008940.5

申请日：2007-04-29

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吴文士 ,  戴劲草 ,  林建明 ,  黄婷婷 ,  兰心仁

IPC: G02F1/361 ,  C07D213/89 ,  C30B7/02

Abstract: 本发明公开一种新型的二阶非线性激光材料4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体的生长方法，其将4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸POA溶于醇水混合溶剂中，甲醇∶水＝1∶1，室温下蒸发至饱和，取出饱和POA溶液置于比色皿中，比色皿外侧施加36V的直流电压，蒸发，生长出籽晶，然后将籽晶转移到培养槽，同样溶剂蒸发得到柱状4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体。该晶体属于正交晶系，空间群为P 212121，晶体学参数：a＝5.5509，b＝9.8139，c＝13.2554，V＝722.13，Z＝4。该晶体熔点达到162.5-163.5℃，优于POA和POM。该晶体用于将波长为1064nm的激光转换至532nm。