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公开(公告)号：CN109698251B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710997549.6
申请日：2017-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铁电增强型的太阳能电池及其制备方法，其中该铁电增强型的太阳能电池包括导电基底(1)和依次沉积于该导电基底(1)上的空穴阻挡层(2)、介孔纳米晶层(3)、介孔间隔层(4)及介孔背电极层(5)，其中介孔纳米晶层(3)、介孔间隔层(4)和介孔背电极层(5)中的至少一层其介孔中还填充有光活性材料；并且，空穴阻挡层(2)、介孔纳米晶层(3)和介孔间隔层(4)中的至少一层包括铁电材料或铁电纳米复合材料。本发明利用结晶性良好的铁电纳米材料例如纳米颗粒代替普通薄膜，既具有较高的剩余极化强度，又不会对载流子的传输造成影响，经特定人工极化工艺处理后的无机铁电材料还能有效促进载流子的分离和传输。
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公开(公告)号：CN113788629B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110954137.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，属于卤化物钙钛矿半导体技术领域。本发明通过调控卤化物钙钛矿前驱体，在基底上涂敷卤化物钙钛矿前驱体湿膜，在密闭空间中调控前驱体湿膜中溶剂的挥发过程，从而控制前驱体湿膜的饱和度，抑制均匀成核，促进钙钛矿晶粒的充分生长，实现高质量钙钛矿薄膜的制备。通过本方法，实现了形核少、生长充分、晶界少的高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备，为高性能卤化物钙钛矿光电子器件的制备提供有力支撑。
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公开(公告)号：CN113788629A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110954137.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，属于卤化物钙钛矿半导体技术领域。本发明通过调控卤化物钙钛矿前驱体，在基底上涂敷卤化物钙钛矿前驱体湿膜，在密闭空间中调控前驱体湿膜中溶剂的挥发过程，从而控制前驱体湿膜的饱和度，抑制均匀成核，促进钙钛矿晶粒的充分生长，实现高质量钙钛矿薄膜的制备。通过本方法，实现了形核少、生长充分、晶界少的高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备，为高性能卤化物钙钛矿光电子器件的制备提供有力支撑。
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公开(公告)号：CN109698251A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710997549.6
申请日：2017-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铁电增强型的太阳能电池及其制备方法，其中该铁电增强型的太阳能电池包括导电基底(1)和依次沉积于该导电基底(1)上的空穴阻挡层(2)、介孔纳米晶层(3)、介孔间隔层(4)及介孔背电极层(5)，其中介孔纳米晶层(3)、介孔间隔层(4)和介孔背电极层(5)中的至少一层其介孔中还填充有光活性材料；并且，空穴阻挡层(2)、介孔纳米晶层(3)和介孔间隔层(4)中的至少一层包括铁电材料或铁电纳米复合材料。本发明利用结晶性良好的铁电纳米材料例如纳米颗粒代替普通薄膜，既具有较高的剩余极化强度，又不会对载流子的传输造成影响，经特定人工极化工艺处理后的无机铁电材料还能有效促进载流子的分离和传输。
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