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发明公开
一种氧空位调制钇钡铜氧的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119660780A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410932687.6

申请日：2024-07-12

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 关晓宁 , 商远航 , 刘刚 , 韩利红 , 芦鹏飞

IPC: C01G3/00

Abstract: 本发明公开了一种氧空位调制钇钡铜氧的方法，属于光电器件和计算材料学技术领域。本发明提供的一种氧空位调制钇钡铜氧的方法包括以下步骤：构建含氧空位缺陷的钇钡铜氧模型，分析获得氧空位对于钇钡铜氧的电子性质和光学性质的影响；根据钇钡铜氧的电子性质和光学性质需求来利用氧空位调控制备钇钡铜氧材料。本发明通过氧空位来实现对钇钡铜氧性能的研究，从而通过氧空位来调控获得符合性能要求的钇钡铜氧材料。

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