公开(公告)号：CN113897667A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111144596.9

申请日：2021-09-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 徐桂英 ,  张斌 ,  杨全鑫 ,  南博航 ,  周小靖 ,  邓浩 ,  史然 ,  张光兵

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B15/30 ,  C30B29/52

Abstract: 一种生长铋碲基合金外延薄膜的设备及方法，属于温差电领域。实验装置主要包含加热装置、密封装置和提拉旋转装置。加热装置能实现精确智能控制升温与降温；密封装置起到保护成膜环境密封性的作用；提拉旋转装置为样品台和衬底提供旋转和提拉的动力。成膜工艺参数主要包含衬底选择、根据相图选定母液成分并确定母液熔点和结晶点、寻找适当转速，冷却速度和提拉速度等。高性能的(Bi1‑xSbx)2(Te1‑ySey)3单晶薄膜可以组装器件用于制冷和发电。液相外延方法具备生长设备简单；有较高的生长速率；掺杂剂选择范围广；晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低；晶体纯度高，生长系统中没有剧毒和强腐蚀性的原料及产物，操作安全、简便，可实现批量生产等优点。