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公开(公告)号：CN109685072B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811575838.8
申请日：2018-12-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于生成对抗网络的复合降质图像高质量重建方法，针对同时含有雾霾，系统噪声，低照度和压缩失真等多种降质问题的低质量图像，本发明首先从针对复合因素降质图像重建的角度出发，建立了一种基于生成对抗网络的复合降质图像高质量重建方法，可完成针对受雾霾，低照度，压缩，系统噪声，光学模糊等因素组合降质图像的重建；其次，本发明采用非对称的生成网络，大大减少了模型的参数量，使模型易于训练和使用；再者，采用端到端的思想，简化了重建系统的架构，省去了预处理与后处理；最后，生成网络全部由卷积层组成，可输入任意尺寸复合降质图像进行重建。
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公开(公告)号：CN109685072A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811575838.8
申请日：2018-12-22
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G06K9/42 , G06K9/4604 , G06N3/0454 , G06N3/08 , G06T5/002 , G06T5/50
Abstract: 本发明公开了一种基于生成对抗网络的复合降质图像高质量重建方法，针对同时含有雾霾，系统噪声，低照度和压缩失真等多种降质问题的低质量图像，本发明首先从针对复合因素降质图像重建的角度出发，建立了一种基于生成对抗网络的复合降质图像高质量重建方法，可完成针对受雾霾，低照度，压缩，系统噪声，光学模糊等因素组合降质图像的重建；其次，本发明采用非对称的生成网络，大大减少了模型的参数量，使模型易于训练和使用；再者，采用端到端的思想，简化了重建系统的架构，省去了预处理与后处理；最后，生成网络全部由卷积层组成，可输入任意尺寸复合降质图像进行重建。
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公开(公告)号：CN100552864C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810056408.5
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种透射电子显微镜样品载网，属于纳米材料测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分包括有金属环(1)，所述的电路部分包括有两个电极(2)、待测元件和相变材料非晶薄膜(5)，电极(2)与金属环(1)绝缘粘合，相变材料非晶薄膜(5)均匀分布在两电极(2)之间，相变材料薄膜(5)为非晶态，待测元件位于相变材料非晶薄膜(5)中或者集成在其中的一个电极(2)上。本发明中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。
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公开(公告)号：CN103969012A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410146941.6
申请日：2014-04-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种模拟岩石隧道不同埋深的振动台试验实时加载装置，包括模型箱、实时加载装置和数据采集系统，模型箱用于盛放试验模型材料以及为实时加载装置提供反力；加载装置包括加载系统、滑动加载板，在施加地震动过程中实现对试验模型材料的实时加载；采集系统用于在实时加载过程中，监测试验模型材料的实时土压力。此装置用于振动台试验，解决不同埋深情况下，围岩应力场的模拟问题，且能够对振动过程中的试验模型，在发生剪切变形的情况下进行加载，真正实现实时加载，并对加载情况进行监控，为研究不同埋深下的隧道的动力反应提供了便利。采用气囊加载方式，实现振动台试验加载的同时还可以最大限度的降低模型箱体自身的质量。
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公开(公告)号：CN101217097A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810056408.5
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种透射电子显微镜样品载网，属于纳米材料测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分包括有金属环(1)，所述的电路部分包括有两个电极(2)、待测元件和相变材料非晶薄膜(5)，电极(2)与金属环(1)绝缘粘合，相变材料非晶薄膜(5)均匀分布在两电极(2)之间，相变材料薄膜(5)为非晶态，待测元件位于相变材料非晶薄膜(5)中或者集成在其中的一个电极(2)上。本发明中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100590440C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810056407.0
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种在扫描电子显微镜中对待测微型元件进行电学测量的装置，具体为一种扫描电子显微镜原位电学测量装置，属于纳米材料性能原位测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分为绝缘衬底(1)，所述的电路部分包括两个固定在绝缘衬底(1)上的电极(2)、待测元件(4)和相变材料非晶薄膜(5)；所述的相变材料非晶薄膜均匀分布在两金属电极之间，待测元件位于相变材料非晶薄膜中或者集成在金属电极上。本发明中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。
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公开(公告)号：CN101447551A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810119691.1
申请日：2008-09-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种相变存储器的单元结构及实现方法，包括：衬底、层底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层、钨电极和顶电极；其特征在于：所述的相变材料层下方的钨电极中设置了利用曝光刻蚀技术刻蚀出的中空槽，中空槽内填充有绝热材料SiO2，以减少发热部分接触面从而减少结晶区域体积；所述中空槽状钨电极的所述中空槽状钨电极的内半径为中空槽状钨电极外半径的0.4倍以上，当相变材料层的电流超过阈值电流后，该相变材料产生由非晶体相到晶体相的转变。钨电极采用了中空结构，从而提高了初始晶化与完全晶化状态之间的电阻差，所以两种稳定晶化状态之间可以通过不同的操作电流实现更多的中间电阻状态，提高了相变存储器的存储能力。
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公开(公告)号：CN101354911A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810119688.X
申请日：2008-09-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明公开了一种相变材料信息存储方法，在电子显微镜中，通过控制位置及停留时间的电子束，在相变材料薄膜上辐照形成排列结晶点，并对其排列结晶点进行信息的读取。包括非晶相变材料薄膜以及支持部分，非晶相变材料薄膜沉积于支持部分上，薄膜均匀且平整，通过在透射电镜或者扫描电镜下，聚焦电子束的轰击，非晶相变薄膜上被轰击的点区域经历一定长的时间会形成晶化点，通过控制电子束位置，可以在小范围内获得晶化点的阵列，通过阵列中晶化点的排布变化实现信息的存储，其具有高密度及可反复擦写等特性。
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公开(公告)号：CN101354416A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810119690.7
申请日：2008-09-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种在透射电镜样品上制备小间距电极的方法，包括掩板的制备步骤和电极制备步骤以及电学测量步骤三部分；掩板制备步骤是将金属板材制成金属网状结构，利用光刻掩板将中空部分腐蚀去除得到；电学测量步骤，为利用两探针触压两相邻电极或者用导电胶将透射电镜薄膜通电样品杆专用导线粘接在两相邻电极上进行原位电学测量；其中电极制备步骤是利用网状掩膜的方法在透射电镜样品上制备多个电极，电极间距小于1μm。本发明提供了一种新的纳米线或薄膜的原位电学测试方法，具有性能可靠，安装方便，结构简单的特点，拓展了透射电镜的功能，并可以实现同一样品的多次电学测量，且每次测量之间互不影响。
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公开(公告)号：CN101257090A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103803.4
申请日：2008-04-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 用于相变存储器的Si－Te－Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ge2Te5Sb2材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本发明提供的一种用于相变存储器的硅－碲－锑存储材料，组成通式为SiaTebSb100－(a+b)，其中20≤a≤60，20≤b＜48。该材料具有相对较高的结晶温度、较好的热稳定性以及更强的数据保持能力，同时还具有均匀的晶体相结构和纳米级的晶粒尺寸，在改善了疲劳特性的同时又具有较好的可逆相变能力。
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