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公开(公告)号:CN118504629A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410641718.2
申请日:2024-05-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/06 , G06N3/049 , G11C11/401
Abstract: 本申请公开了一种动态随机存储器、神经元行为模拟系统和方法,动态随机存储器包括多个神经元模型电路、工作控制电路和数据保持电路。每个神经元模型电路包括神经元电路,神经元电路包括第一开关管、储能电容和放电重置电路,工作控制电路用于通过控制第一开关管的导通或关闭来控制神经元电路的工作状态,当第一开关管导通且接收刺激电流时对储能电容进行蓄能;当储能电容蓄能获取的电压值大于一预设阈值时,放电重置电路输出脉冲信号并对储能电容的蓄能进行放电重置。由于采用控制开关管开关的方式控制蓄能电容来模拟神经元行为,使得用于脉冲神经网络运算的装置计算速度更快、更节能,相比通过忆阻器来实现神经元行为模拟的方式更稳定、更可靠。
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公开(公告)号:CN118588126A
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202410640603.1
申请日:2024-05-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G11C5/02 , G11C5/10 , G11C11/401 , G11C11/4063 , G06F17/11
Abstract: 本申请公开了一种用于遗忘计算的动态随机存储器和遗忘计算系统和方法,动态随机存储器包括存储器阵列、写行地址译码器、写列地址译码器、读行地址译码器、数据输入模块和数据输出模块。存储器阵列包括多个存储单元,每个存储单元用于存储用于遗忘计算的初始矩阵中的一个元素,每个存储单元包括开关管和数据电容,其中数据电容的电压值与该存储单元存储的矩阵元素的值有对应关系。由于遗忘计算的实现是通过控制存储单元中数据电容的电压值来实现的,不但能以存算一体的方式执行遗忘计算,还使得用于遗忘计算的运算装置计算速度更快、更节能。
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