公开(公告)号：CN112582002A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011218130.4

申请日：2020-11-04

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 叶乐 ,  杨力博 ,  黄芊芊 ,  廖怀林 ,  黄如

IPC: G11C11/419

Abstract: 本申请公开了一种静态随机存取存储器单元电路和存储器，包括：均包括隧穿场效应晶体管的双反相器子电路、第一串联门管子电路、第二串联门管子电路和读缓冲子电路；第一串联门管子电路的第一栅端和第二串联门管子电路的第一栅端均与写字线连接，第二栅端与第一写位线连接，漏端通过第一存储节点与双反相器子电路的一端连接；第二串联门管子电路的第二栅端与第二写位线连接，漏端通过第二存储节点与双反相器子电路的另一端连接以及读缓冲子电路的第一栅端连接；读缓冲子电路的第二栅端与读字线连接，漏端与读位线连接。第一串联门管子电路和第二串联门管子电路能够防止隧穿场效应晶体管产生p‑i‑n电流，从而降低静态功耗，减小静态保持噪声容限退化。

公开(公告)号：CN112468134A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011150124.X

申请日：2020-10-23

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 叶乐 ,  王志轩 ,  黄芊芊 ,  王阳元 ,  黄如

IPC: H03K19/003

Abstract: 本申请公开了一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路，逻辑电路的生成方法包括：设计并生成初始隧穿场效应晶体管逻辑电路，初始隧穿场效应晶体管逻辑电路包括至少一个逻辑门；确定逻辑门的串联支路中与逻辑门的输入节点连接的第一隧穿场效应晶体管；使用场效应晶体管替换第一隧穿场效应晶体管；在逻辑门的串联支路与逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管，生成逻辑电路。能够克服隧穿场效应晶体管在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷，以及克服替换入逻辑门中的场效应晶体管所导致的漏电流增大的缺陷，从而逻辑门由于其串联支路中电流衰减过大导致的性能、噪声容限等发生退化，提高逻辑电路的性能。