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公开(公告)号：CN104089572B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410364545.0
申请日：2014-07-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: G01B7/34
Abstract: 本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法，仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程，避免增加功能器件设计的复杂；利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙，减小了小尺寸带来的误差，同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作，实现对刻蚀结构的无损检测；检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定，实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的，同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单，各工序均为成熟技术，工艺难度较低，实现简便，易于操作。
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公开(公告)号：CN103337380A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310125279.1
申请日：2013-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种新型硅基超级电容及其制备方法，该方法包括：选择单晶硅片作为芯片基片；在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；在电容制作区域刻蚀出黑硅；利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层；淀积并图形化金属引出电极。本发明利用ALD单原子淀积技术在黑硅表面生长介质层和电极层，在实现大容量电荷储存的同时克服了传统超级电容难于微小和集成的缺点，同时将充放电速度提升至平板电容量级。
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公开(公告)号：CN103337380B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310125279.1
申请日：2013-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种新型硅基超级电容及其制备方法，该方法包括：选择单晶硅片作为芯片基片；在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；在电容制作区域刻蚀出黑硅；利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层；淀积并图形化金属引出电极。本发明利用ALD单原子淀积技术在黑硅表面生长介质层和电极层，在实现大容量电荷储存的同时克服了传统超级电容难于微小和集成的缺点，同时将充放电速度提升至平板电容量级。
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公开(公告)号：CN104048592B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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公开(公告)号：CN104048592A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104089572A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410364545.0
申请日：2014-07-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: G01B7/34
Abstract: 本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法，仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程，避免增加功能器件设计的复杂；利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙，减小了小尺寸带来的误差，同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作，实现对刻蚀结构的无损检测；检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定，实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的，同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单，各工序均为成熟技术，工艺难度较低，实现简便，易于操作。
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公开(公告)号：CN117788473B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410211417.6
申请日：2024-02-27
Applicant: 北京大学第一医院(北京大学第一临床医学院) , 北京大学
Abstract: 本发明属于智能医疗领域，具体涉及一种基于双眼融合网络预测高血压的方法、系统和设备。方法包括：获取被试左/右眼的眼底图像和右眼的眼底图像；所述左/右眼的眼底图像输入Transformer编码器进行特征提取得到左/右眼底图像特征；将所述左/右眼底图像特征展开成2维左/右眼底特征序列，二者列连接得到双眼特征序列，在所述双眼特征序列上作用Transformer层后得到双眼融合特征序列，所述Transformer层由自注意力层和前馈神经网络组成，计算所述双眼融合特征序列的列均值得到双眼融合特征；基于所述双眼融合特征进行高血压预测。本发明可以预测个体未来是否会新发高血压，有利于指导个体采取预防和干预措施。
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公开(公告)号：CN118212407A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410274716.4
申请日：2024-03-11
Applicant: 北京大学 , 北京肿瘤医院(北京大学肿瘤医院) , 北京大学长沙计算与数字经济研究院
IPC: G06V10/26 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06V10/40 , G06N3/0455 , G06N3/084 , G06N3/0464
Abstract: 本申请公开了一种肿瘤图像的分割方法、装置及电子设备。其中，该方法包括：获取待进行肿瘤分割的原始肿瘤图像，其中，原始肿瘤图像为对目标对象的目标器官进行CT扫描后得到的图像；采用肿瘤分割模型对原始肿瘤图像进行分割，得到肿瘤区域所对应的目标肿瘤图像，其中，肿瘤分割模型包括编码器、解码器和多尺度注意力模块，多尺度注意力模块通过结合目标对象在原始肿瘤图像中采样的交互点对原始肿瘤图像进行特征融合处理；显示目标肿瘤图像。本申请解决了相关技术中对于肿瘤的分割存在精度较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN117788473A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410211417.6
申请日：2024-02-27
Applicant: 北京大学第一医院(北京大学第一临床医学院) , 北京大学
Abstract: 本发明属于智能医疗领域，具体涉及一种基于双眼融合网络预测高血压的方法、系统和设备。方法包括：获取被试左/右眼的眼底图像和右眼的眼底图像；所述左/右眼的眼底图像输入Transformer编码器进行特征提取得到左/右眼底图像特征；将所述左/右眼底图像特征展开成2维左/右眼底特征序列，二者列连接得到双眼特征序列，在所述双眼特征序列上作用Transformer层后得到双眼融合特征序列，所述Transformer层由自注意力层和前馈神经网络组成，计算所述双眼融合特征序列的列均值得到双眼融合特征；基于所述双眼融合特征进行高血压预测。本发明可以预测个体未来是否会新发高血压，有利于指导个体采取预防和干预措施。
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公开(公告)号：CN119153008A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411159945.8
申请日：2024-08-22
Applicant: 北京大学长沙计算与数字经济研究院 , 北京肿瘤医院(北京大学肿瘤医院) , 北京大学
Abstract: 本发明涉及辅助医疗技术领域，公开了一种临床试验匹配方法、装置、设备、介质及产品，本发明获取患者的病历信息；将病历信息输入预先设置的通用条件匹配模型进行遍历，通用条件匹配模型中包括第一预设个数的通用判断条件，生成每一个通用判断条件一一对应的判别标签；根据判别标签，初步筛选患者符合的试验方案，确定初步试验方案；将病历信息、初步试验方案输入预先设置的特异条件匹配模型进行二次筛选，获得二次筛选后的终极试验方案。该方法不仅可以有效提高试验方案匹配的准确性，且不容易出错，还可以有效提高临床试验受试对象的招募效率。
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