公开(公告)号：CN102923645A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210489470.X

申请日：2012-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 张海霞 ,  张晓升 ,  苏宗明 ,  金柏宏 ,  朱福运

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/04

Abstract: 一种高密度纳米电极阵列制备方法，在导电性好的金属或半导体基底上，将纳米金属颗粒均匀紧密单层排布，通过高温退火工艺使纳米金属颗粒与基底紧密结合，再利用等离子体处理工艺刻蚀基底，制备实现高密度高深宽比纳米电极阵列结构。本发明可利用常规微加工设备，实现纳米尺度电极阵列结构，无需特殊昂贵的纳米加工设备，降低成本，且工艺兼容性好，可实现大面积晶片级加工。且RIE与DRIE工艺均为产业成熟可靠生产工艺，通过参数调控，可控制基底刻蚀深度，即纳米阵列高度可控，可适用于不同需求下纳米电极阵列的制备。

公开(公告)号：CN102923645B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210489470.X

申请日：2012-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 张海霞 ,  张晓升 ,  苏宗明 ,  金柏宏 ,  朱福运

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/04

Abstract: 一种高密度纳米电极阵列制备方法，在导电性好的金属或半导体基底上，将纳米金属颗粒均匀紧密单层排布，通过高温退火工艺使纳米金属颗粒与基底紧密结合，再利用等离子体处理工艺刻蚀基底，制备实现高密度高深宽比纳米电极阵列结构。本发明可利用常规微加工设备，实现纳米尺度电极阵列结构，无需特殊昂贵的纳米加工设备，降低成本，且工艺兼容性好，可实现大面积晶片级加工。且RIE与DRIE工艺均为产业成熟可靠生产工艺，通过参数调控，可控制基底刻蚀深度，即纳米阵列高度可控，可适用于不同需求下纳米电极阵列的制备。