公开(公告)号：CN106920744A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510994328.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  谢兮兮 ,  侯瑞祥 ,  李磊 ,  徐万劲

IPC: H01L21/322

Abstract: 本发明公开了一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法。在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，可以激励硅中P、B、As、O、N、F等非金属原子扩散。该方法无需高温，方便快捷，成本低廉，受二次污染的程度远较高温为小，不仅可用于改善硅材料的性能，还可以在硅器件制作完成后，运用该方法改进器件的性能。

公开(公告)号：CN106920744B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510994328.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  谢兮兮 ,  侯瑞祥 ,  李磊 ,  徐万劲

IPC: H01L21/322

Abstract: 本发明公开了一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法。在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，可以激励硅中P、B、As、O、N、F等非金属原子扩散。该方法无需高温，方便快捷，成本低廉，受二次污染的程度远较高温为小，不仅可用于改善硅材料的性能，还可以在硅器件制作完成后，运用该方法改进器件的性能。

公开(公告)号：CN106328474A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610899050.7

申请日：2016-10-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  侯瑞祥 ,  李述体 ,  李磊 ,  徐万劲 ,  谢兮兮 ,  宋伟东 ,  肖稼凯

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明公布了一种在室温环境下向氮化镓材料引入杂质的方法，将待掺杂的氮化镓材料或器件和固态杂质源都置于利用射频在惰性气体中产生的等离子体中，使固态杂质源的原子和/或离子进入等离子体，杂质原子和/或离子与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，从而进入到氮化镓材料或器件中。该方法既便捷又经济，其特点是样品表面掺杂浓度较高，可实现超浅深度掺杂，并且可同时引进多种杂质，无刻蚀作用，不仅适用于氮化镓薄膜或晶片的掺杂，还可对部分完成的氮化镓器件进行掺杂。

公开(公告)号：CN104882377A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510190748.7

申请日：2015-04-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  侯瑞祥 ,  谢兮兮 ,  徐万劲

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3221

Abstract: 本发明公开了一种吸除硅材料中金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，功率为1～2000W，时间为1～60min，在硅晶片或硅器件表面形成缺陷区的同时将硅中的金属杂质吸至表面。该方法在室温下进行，且不需要伽玛射线等作为吸杂激励源，ICP处理既引入了表面缺陷区，又是吸杂激励源，一步完成吸杂工艺，节约了成本和时间，减少了危险性，可广泛应用于大规模集成电路、太阳能电池、光电探测器等硅器件除杂领域。

公开(公告)号：CN108155297A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611100965.3

申请日：2016-12-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  姚利 ,  谢兮兮 ,  李磊

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公布了一种利用层压法来制备石墨烯顶电极的方法，首先利用湿法或干法转移方法，将石墨烯转移到PDMS上；然后将石墨烯连同PDMS层压到半导体器件的有机功能层上，PDMS上的石墨烯通过范德瓦尔斯力紧紧粘附在有机功能层上，作为器件的顶电极。本发明通过直接层压石墨烯顶电极来制备全透明的有机发光二级管或其他以石墨烯为顶电极的半导体器件，简单便捷、成本低廉。