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公开(公告)号：CN104880705B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410167159.2
申请日：2014-04-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于数控振荡器的调频连续波雷达，属于集成电路技术领域。该调制频率连续波雷达包括低噪音放大器、混频器、中频放大器、滤波器、信号处理器、功率放大器，还包括锁相环，锁相环包括数字控制模块、数控振荡器、鉴相器、低通滤波器。本发明利用由数控振荡器等组成的锁相环开环结构作为雷达系统信号源，有效提高了信号源频率扫描的速度，可以使频率改变时间间隔达到纳秒量级，提高了系统性能，具有信号源频率变化快，通用性强，结构简单利于实现，单元面积小，可集成密度高，适合芯片SOC等特点。
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公开(公告)号：CN102104362A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201110049324.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波倍频器及级联倍频器，属于射频/毫米波集成电路技术领域。本发明的倍频器包括：伪差分房大器、LC并联谐振腔、LC串联谐振腔；所述LC并联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与电源VDD之间，所述LC串联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与地线之间，所述伪差分放大器的两输入端分别与输入基频信号f0的正端、负端连接；其中，LC并联谐振腔的谐振频率为2f0，LC串联谐振腔的谐振频率为4f0。本发明的级联倍频器包括多个上述倍频器，多个所述倍频器依次通过单转双的无源变压器相连。本发明具有功耗低、倍频输出信号频谱纯、谐波抑制好，输出信号强、频率高，易于在硅基工艺上单芯片集成的特点。
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公开(公告)号：CN104880706A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410218525.2
申请日：2014-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，包括锁相环、压控振荡器、功率放大器、低噪声放大器、混频器、中频放大器、数字处理模块和天线，所述锁相环的输出端与所述压控振荡器的输入端相连，所述压控振荡器的输出端分别与所述功率放大器的输入端、所述混频器的输入端相连，所述低噪音放大器的输出端与所述混频器的输入端相连，所述混频器的输出端与所述中频放大器的输入端相连，所述中频放大器的输出端与所述数字处理模块的输入端相连，还包括定向耦合器，所述定向耦合器分别与所述功率放大器、所述低噪音放大器及所述天线相连。本发明的雷达结构，具备兼容性高，成本低，可集成度高，适合芯片等特点。
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公开(公告)号：CN104880705A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410167159.2
申请日：2014-04-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于数控振荡器的调频连续波雷达，属于集成电路技术领域。该调制频率连续波雷达包括低噪音放大器、混频器、中频放大器、滤波器、信号处理器、功率放大器，还包括锁相环，锁相环包括数字控制模块、数控振荡器、鉴相器、低通滤波器。本发明利用由数控振荡器等组成的锁相环开环结构作为雷达系统信号源，有效提高了信号源频率扫描的速度，可以使频率改变时间间隔达到纳秒量级，提高了系统性能，具有信号源频率变化快，通用性强，结构简单利于实现，单元面积小，可集成密度高，适合芯片SOC等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102104362B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110049324.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波倍频器及级联倍频器，属于射频/毫米波集成电路技术领域。本发明的倍频器包括：伪差分房大器、LC并联谐振腔、LC串联谐振腔；所述LC并联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与电源VDD之间，所述LC串联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与地线之间，所述伪差分放大器的两输入端分别与输入基频信号f0的正端、负端连接；其中，LC并联谐振腔的谐振频率为2f0，LC串联谐振腔的谐振频率为4f0。本发明的级联倍频器包括多个上述倍频器，多个所述倍频器依次通过单转双的无源变压器相连。本发明具有功耗低、倍频输出信号频谱纯、谐波抑制好，输出信号强、频率高，易于在硅基工艺上单芯片集成的特点。
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公开(公告)号：CN102437162A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110397938.8
申请日：2011-12-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/115 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种基于标准单栅CMOS工艺的EEPROM，属于集成电路领域。本发明包括一MOS管，所述MOS管上部覆盖有N层金属层，第N层金属层上设有一电容结构，第N层金属层覆盖所述电容结构的底部；第N层金属层包括电隔离的a区和b区，b区位于a区外围，a区与所述MOS管栅极部位对应，a区电连接到所述MOS管的栅极且与所述电容结构底部电连接，b区电连接到所述电容结构的顶部，所述电容结构的顶部引出作为EEPROM控制栅，所述MOS管的栅极作为EEPROM的浮栅，MOS管的源极、漏极和衬底分别引出作为EEPROM的源极、漏极和衬底。本发明单元面积很小，有利于实现高集成密度的应用。
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公开(公告)号：CN102104363A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201110049763.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
CPC classification number: H03B19/14
Abstract: 本发明公开一种太赫兹硅基四倍频器及多倍频器，属于射频集成电路领域。四倍频器包括晶体管M1、M2，传输线L1、L2、L-1；M1、M2的漏端分别经L1、L2连接至输出端口，源端与地线连接，栅端分别与基频信号f0的I、Q路信号输入端连接；L-1连接于输出端口与电源之间；L1、L2为2f0信号所对应波长的1/4长度，L-1为4f0信号所对应波长的1/4长度。多倍频器包括2n倍频器1、2n倍频器2、传输线L；2n倍频器1与2n倍频器2的输出端口相连作为2n+1倍频器的输出端口，L连接于2n+1倍频器输出端口与电源之间；L为2n+1f0所对应波长的1/4长度。本发明输出频率高、频谱纯、功耗低、易于集成。
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公开(公告)号：CN104880706B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410218525.2
申请日：2014-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于片上定向耦合器的调频连续波雷达，包括锁相环、压控振荡器、功率放大器、低噪声放大器、混频器、中频放大器、数字处理模块和天线，所述锁相环的输出端与所述压控振荡器的输入端相连，所述压控振荡器的输出端分别与所述功率放大器的输入端、所述混频器的输入端相连，所述低噪音放大器的输出端与所述混频器的输入端相连，所述混频器的输出端与所述中频放大器的输入端相连，所述中频放大器的输出端与所述数字处理模块的输入端相连，还包括定向耦合器，所述定向耦合器分别与所述功率放大器、所述低噪音放大器及所述天线相连。本发明的雷达结构，具备兼容性高，成本低，可集成度高，适合芯片等特点。
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公开(公告)号：CN102104363B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110049763.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
CPC classification number: H03B19/14
Abstract: 本发明公开一种太赫兹硅基四倍频器及多倍频器，属于射频集成电路领域。四倍频器包括晶体管M1、M2，传输线L1、L2、L-1；M1、M2的漏端分别经L1、L2连接至输出端口，源端与地线连接，栅端分别与基频信号f0的I、Q路信号输入端连接；L-1连接于输出端口与电源之间；L1、L2为2f0信号所对应波长的1/4长度，L-1为4f0信号所对应波长的1/4长度。多倍频器包括2n倍频器1、2n倍频器2、传输线L；2n倍频器1与2n倍频器2的输出端口相连作为2n+1倍频器的输出端口，L连接于2n+1倍频器输出端口与电源之间；L为2n+1f0所对应波长的1/4长度。本发明输出频率高、频谱纯、功耗低、易于集成。
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