公开(公告)号：CN103064000A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310002748.0

申请日：2013-01-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 何燕冬 ,  王熙庆 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: G01R31/27

Abstract: 本发明公开了一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法，所述装置包括行选择器，第一列选择器，第二列选择器和监测管。所述监测MOS管阵列阈值电压的方法利用上述装置，通过对待测MOS管阵列中的MOS管和监测管的电路连接，使得原本难以监测的MOS管阵列阈值电压的分布及漂移能够方便读出，大大缩短测量时间。

公开(公告)号：CN103064000B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201310002748.0

申请日：2013-01-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 何燕冬 ,  王熙庆 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: G01R31/27

Abstract: 本发明公开了一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法，所述装置包括行选择器，第一列选择器，第二列选择器和监测管。所述监测MOS管阵列阈值电压的方法利用上述装置，通过对待测MOS管阵列中的MOS管和监测管的电路连接，使得原本难以监测的MOS管阵列阈值电压的分布及漂移能够方便读出，大大缩短测量时间。