MEMS陀螺电容读出电路中失调电容的补偿方法及电路

    公开(公告)号:CN101424533B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200810119409.X

    申请日:2008-08-29

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS陀螺电容读出电路中失调电容的补偿方法及电路,该补偿电路包括依次连接的电荷放大器、高通滤波器、同步解调电路、低通滤波器和一失调电容补偿反馈回路,该反馈回路由低通滤波器、可变增益放大器和反馈电容组成。其中,MEMS陀螺的变化电容信号经过电荷放大器放大后转换成电压信号,并且被载波调制到高频,再经过高通滤波器放大;放大后的信号经过同步解调后,用低通滤波器提取反映失调电容大小的电压信号,该电压信号通过可变增益放大器放大并调制到高频以产生负反馈电压,反馈电容将负反馈电压耦合到电荷放大器输入端,与MEMS陀螺的变化电容信号中的失调电容信号相减,实现了失调电容的自适应补偿。

    基于子图采样的大规模属性图上的无监督图表示学习方法和装置

    公开(公告)号:CN111950594B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202010673816.6

    申请日:2020-07-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于子图采样的大规模属性图上的无监督图表示学习方法和装置。该方法包括:根据属性图的结构信息和节点属性信息,对属性图进行子图采样,生成多张子图;利用属性图的结构信息、节点属性信息和社区信息,在每个子图上进行图自编码器的学习,得到属性图中节点的低维向量表示。图自编码器包括编码器和解码器;编码器采用图卷积神经网络;解码器包含图结构损失重构解码器、图内容损失重构解码器以及图社区损失重构解码器。本发明支持用户利用此方法以无监督的方式学习大规模属性图中的节点的低维向量表示,这些向量表示会尽可能保留图上的拓扑结构信息和节点属性信息,这些向量作为输入应用于不同的下游任务来对图进行数据挖掘任务。

    基于图神经网络的交互式社区搜索方法及装置

    公开(公告)号:CN112966165A

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202110147855.7

    申请日:2021-02-03

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 高军 陈嘉尊 王佳

    Abstract: 本发明公开了一种基于图神经网络的交互式社区搜索方法及装置,依据用户的查询节点和标记节点构造给定候选子图GS;通过给定候选子图GS构造图神经网络模型M;对图神经网络模型M进行收敛,得到各节点的图神经网络分数,并依据图神经网络分数,更新给定候选子图;依据更新后的给定候选子图及设定社区大小k,选取最终目标社区。本发明通过在线网络中动态采集的子图来定位目标社区,利用图神经网络将社区成员关系问题重构为节点分类问题,并引入一个k大小的社区来描述目标社区,能够灵活地结合内容和结构特征来捕获图节点与标注节点之间的相似性与差异性,以迭代和交互的方式搜索出准确率高、大小精确的社区,且利用排序损失减轻用户负担。

    基于子图采样的大规模属性图上的无监督图表示学习方法和装置

    公开(公告)号:CN111950594A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010673816.6

    申请日:2020-07-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于子图采样的大规模属性图上的无监督图表示学习方法和装置。该方法包括:根据属性图的结构信息和节点属性信息,对属性图进行子图采样,生成多张子图;利用属性图的结构信息、节点属性信息和社区信息,在每个子图上进行图自编码器的学习,得到属性图中节点的低维向量表示。图自编码器包括编码器和解码器;编码器采用图卷积神经网络;解码器包含图结构损失重构解码器、图内容损失重构解码器以及图社区损失重构解码器。本发明支持用户利用此方法以无监督的方式学习大规模属性图中的节点的低维向量表示,这些向量表示会尽可能保留图上的拓扑结构信息和节点属性信息,这些向量作为输入应用于不同的下游任务来对图进行数据挖掘任务。

    MEMS陀螺电容读出电路中失调电容的补偿方法及电路

    公开(公告)号:CN101424533A

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200810119409.X

    申请日:2008-08-29

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS陀螺电容读出电路中失调电容的补偿方法及电路,该补偿电路包括依次连接的电荷放大器、高通滤波器、同步解调电路、低通滤波器和一失调电容补偿反馈回路,该反馈回路由低通滤波器、可变增益放大器和反馈电容组成。其中,MEMS陀螺的变化电容信号经过电荷放大器放大后转换成电压信号,并且被载波调制到高频,再经过高通滤波器放大;放大后的信号经过同步解调后,用低通滤波器提取反映失调电容大小的电压信号,该电压信号通过可变增益放大器放大并调制到高频以产生负反馈电压,反馈电容将负反馈电压耦合到电荷放大器输入端,与MEMS陀螺的变化电容信号中的失调电容信号相减,实现了失调电容的自适应补偿。

    一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法

    公开(公告)号:CN100397616C

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200610114486.7

    申请日:2006-11-10

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法,其是在原有工艺步骤(6)之后,采取以下工艺步骤:(7)在硅片正面形成金属掩模层;(8)光刻定义出MEMS结构区,用腐蚀液腐蚀金属层,去除光刻胶;(9)在硅片背面形成金属掩膜层;(10)光刻残余硅区域,采用光刻胶形成光刻胶掩膜层;(11)用光刻胶掩膜层掩膜进行DRIE各向异性刻蚀直至露出硅片背面的铝衬底,再进行1~2分钟的各向同性刻蚀去除隔离槽残余硅;(12)干法去除光刻胶掩膜层,用铝掩膜图形和金属掩膜层作掩膜,DRIE刻蚀释放MEMS硅结构;(13)用腐蚀液腐蚀硅片背面的金属层,用腐蚀液腐蚀硅片正面的金属掩膜层;(14)裂片,封装和测试。本发明方法完善了现有技术,大大提高了单片集成MEMS传感器的精度和稳定性。

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