公开(公告)号：CN117646275A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202410126764.9

申请日：2024-01-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  吴俊慷 ,  杨涵 ,  宋英铭 ,  吴发权

IPC: C30B28/14 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法，利用功能层和支撑层的键合衬底，先在功能层正面生长多晶金刚石，然后去掉支撑层，在功能层背面生长III族氮化物外延材料，获得多晶金刚石与III族氮化物材料的异质集成结构。III族氮化物、功能层、多晶金刚石三者之间是直接生长成键连接，确保了声子的传播，并充分利用多晶金刚石高热导率的优点提高了整个异质集成结构的热导率；III族氮化物外延材料生长在复合衬底之上，不会受到破坏，保证了其性能；通过选取不同的键合衬底表面，可以控制生长金属极性或氮极性的III族氮化物材料，满足不同领域应用需求。本发明的制备方法对尺寸没有限制，可以实现大尺寸批量化的生产。

公开(公告)号：CN118613133A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410666902.2

申请日：2024-05-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  王豪捷 ,  陈正昊 ,  杨涵 ,  吴发权 ,  康香宁

IPC: H10N30/076 ,  H10N30/04 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  C30B33/12 ,  C30B33/02 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种Si衬底上生长高质量Al(Sc)N厚膜的方法，属于半导体技术领域。该方法先使用MOCVD或MBE在Si衬底上进行高质量AlN单晶层的生长，然后借助氧等离子体和热退火在MOCVD/MBE AlN的表层形成α‑氧化铝，最后PVD沉积Al(Sc)N厚膜。本发明充分利用了Si衬底上易剥离AlN与α‑氧化铝上可以生长极好晶体质量的特点，生长了可用于滤波器器件的不开裂的较好晶体质量的Al(Sc)N材料。