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公开(公告)号：CN101840999B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010131806.6
申请日：2010-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光器件领域。本发明通过对n型硅片进行辐照，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明主要利用低能电子或伽玛射线等对n型硅进行辐照，在n型硅中引入深能级缺陷，起到有效的产生中心的作用，从而提高其构成的有机发光二级管的发光效率，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明使n型硅为阳极的有机发光二极管应用范围得到拓展,同时，这种方法还可推广到以其他类型的n型半导体材料为阳极的有机发光二极管中去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102222774A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010145897.9
申请日：2010-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法，属于有机或无机电致发光器件领域。本发明利用金属及其硅化物层与多晶硅层并联增强电流传导性，提出用纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合薄膜作为发光器件阳极，从而克服目前常见的单晶硅阳极对可见光有强的吸收，纳米厚度多晶硅薄膜作阳极时方块电阻太大等问题。本发明纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合阳极具有良好的透光性、导电性能好、功函数及空穴注入可调、工艺简单、成本低、稳定性好的特点。该阳极材料不但可应用有机发光二极管显示器等薄膜发光器件领域，进而有可能应用在光探测及光电池器件方面。
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公开(公告)号：CN101728488A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810225333.9
申请日：2008-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n+-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心的受主能级(Si价带之上0.57eV)向Si价带发射，然后在电场下注入进空穴传输层的最高已占轨道(HOMO)，并且可以通过调整Au产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小，以匹配不同的电子传输材料所对应的不同大小的电子注入电流，实现硅基电致发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN101728488B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810225333.9
申请日：2008-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n+-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心的受主能级(Si价带之上0.57eV)向Si价带发射，然后在电场下注入进空穴传输层的最高已占轨道(HOMO)，并且可以通过调整Au产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小，以匹配不同的电子传输材料所对应的不同大小的电子注入电流，实现硅基电致发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN101840999A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010131806.6
申请日：2010-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光器件领域。本发明通过对n型硅片进行辐照，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明主要利用低能电子或伽玛射线等对n型硅进行辐照，在n型硅中引入深能级缺陷，起到有效的产生中心的作用，从而提高其构成的有机发光二级管的发光效率，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明使n型硅为阳极的有机发光二极管应用范围得到拓展,同时，这种方法还可推广到以其他类型的n型半导体材料为阳极的有机发光二极管中去。
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公开(公告)号：CN101894915A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910084618.X
申请日：2009-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，该器件的阳极是一含产生中心的n-Si薄膜电极。在衬底上直接溅射n-Si超薄层，或者沉积一导电薄层后再溅射n-Si超薄层，然后通过金属诱导晶化形成n-Si薄膜，随后在其中引入产生中心，用这种含有产生中心的n-Si薄膜作为OLED阳极，通过调整产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小以匹配电子注入电流，提高了硅基电致发光效率，同时减少了硅的用量，降低了器件生产成本，从而使硅基有机电致发光器件更适合产业化。
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