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公开(公告)号：CN119815903A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411916365.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成半导体结构，半导体结构至少包括依次堆叠的牺牲层、第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀源漏区域的半导体结构，并在源漏区域的牺牲层对应的区域内填充绝缘材料，以形成占位结构；在占位结构上，通过前道工艺，基于第一半导体结构，形成第一晶体管的第一部分，第一部分至少包括第一源漏结构；基于第二半导体结构，形成第二晶体管；对第二晶体管进行倒片，并暴露占位结构；去除占位结构，以形成第一晶体管的第一源漏接触金属；通过后道工艺，在第一源漏接触金属上形成第一晶体管的第一金属互连层。本申请可以实现顶部晶体管与底部晶体管的自对准接触。
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公开(公告)号：CN119153396A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411091895.4
申请日：2024-08-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/77 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的漏极互连方法、晶体管、器件及设备。其中，漏极互连方法包括：形成包括自对准的第一晶体管和第二晶体管的倒装堆叠晶体管；在形成第一晶体管的第一栅极结构之后，且在形成第二晶体管之前，基于第一晶体管的第一栅极结构，形成第一绝缘层和第一栅极切断结构，第一绝缘层用于保护第一栅极结构；在形成第二晶体管的第二栅极结构之后，基于第二栅极结构，形成第二绝缘层和第二栅极切断结构，第二绝缘层用于保护第二栅极结构；基于第一栅极切断结构和第二栅极切断结构，形成互连结构；基于第二源漏结构，形成第二晶体管的第二源漏金属，第二源漏金属通过互连结构与第一源漏金属连接。本申请可以实现漏极互连的自对准。
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公开(公告)号：CN119866055A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411996099.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成鳍状结构，其中，鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分远离半导体衬底；基于第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管包括：第一栅极结构，第一栅极结构是通过第一栅极制备工艺形成的；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成与第一晶体管沿第一方向堆叠的第二晶体管，其中，第二晶体管包括：第二栅极结构，第二栅极结构是通过第二栅极制备工艺形成的；第二栅极制备工艺和第一栅极制备工艺至少制备步骤不同；第一栅极结构的耐热度大于第二栅极结构的耐热度。
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公开(公告)号：CN118943019A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410992033.2
申请日：2024-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/48 , H01L23/482
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上依次形成一对第一鳍状结构和一对第二鳍状结构；在第一区域沉积预设高度的金属材料，以形成正面电源轨结构；基于一对第一鳍状结构，形成正面晶体管；倒片并去除衬底；在第二区域沉积预设高度的金属材料，以形成金属层结构；去除位于第二端的两侧以及第一背面源漏区域中的第二端之间的金属层结构，以形成背面电源轨结构；对位于背面源漏区域中的第二鳍状结构进行鳍切处理，直至去除背面源漏区域中的第二鳍状结构，以形成一对第一凹槽、一对第二凹槽；基于一对第二鳍状结构，形成背面晶体管。通过本申请，可以提供一种电源轨结构在半导体结构内部引出的新型方案。
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公开(公告)号：CN118335691A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410434569.2
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法、版图。该制备方法包括：提供衬底；刻蚀衬底，形成间隔排布的多个有源结构；其中，每个有源结构包括依次堆叠的第一有源部、绝缘部和第二有源部；对多个有源结构中至少一个目标有源结构进行鳍切处理，直至去除目标有源结构的第一有源部和/或目标有源结构的第二有源部；基于保留的有源结构的第一有源部，形成第一晶体管；基于保留的有源结构的第二有源部，形成第二晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117995753A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410130550.9
申请日：2024-01-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。上述方法包括：在衬底上依次堆叠设置第一有源结构、隔离有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；在第一晶体管朝向第二有源结构的第一表面上沉积第一绝缘材料，以形成第一半导体材料层；在第二有源结构和第一半导体材料层上沉积第二绝缘材料，以形成第二半导体材料层；去除第二半导体材料层中覆盖第一半导体材料层的一部分，以暴露第一半导体材料层；去除第一半导体材料层，以暴露隔离有源结构；对隔离有源结构进行氧化处理，以形成隔离介质结构；去除第二半导体材料层中覆盖第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。
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公开(公告)号：CN119997596A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124629.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：去除第二伪栅结构，以暴露第二有源结构和栅极隔离层；在第一半导体单元中的第二有源结构、栅极隔离层之上涂覆光刻胶，并通过光刻工艺，至少去除第二半导体单元中的栅极隔离层；依次去除第一伪栅结构和光刻胶，以暴露第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，以及第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构；基于第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，形成第一栅极结构和第二栅极结构，以及同时基于第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构，形成第三栅极结构和第四栅极结构。
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公开(公告)号：CN119153404B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411135779.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分靠近衬底；刻蚀源漏区域内的有源结构，并在第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构，源漏区域包括第一源漏区域和第二源漏区域，第一源漏区域与第一部分对应，第二源漏区域与第二部分对应；基于第二源漏区域，形成第一晶体管的第一源漏结构和第一源漏金属；对第一晶体管进行倒片并去除衬底；通过材料的选择性刻蚀填充结构，以暴露第一源漏区域；基于第一源漏区域，形成第二晶体管的第二源漏结构和第二源漏金属。本申请可以实现正背面晶体管的完全自对准。
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公开(公告)号：CN118315343B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410442420.9
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在有源结构上沉积绝缘材料，形成浅槽隔离结构；在浅槽隔离结构上形成硬掩模层，并以硬掩模层为掩模刻蚀浅槽隔离结构，以形成栅极凹槽；在栅极凹槽中沉积半导体材料，以形成初始伪栅结构；第一伪栅结构和第二伪栅结构自对准；去除浅槽隔离结构中包裹第一有源结构的一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除浅槽隔离结构中包裹第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以优化工艺流程。
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公开(公告)号：CN119730364A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411581005.8
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀位于源漏区域内的第一半导体结构和第二半导体结构，并在第一半导体结构对应的第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构；通过前道工艺，基于第二半导体结构，形成第三半导体结构，第三半导体结构包括第一源漏结构；倒片并去除衬底和填充结构，以暴露第一半导体结构，基于第一半导体结构，形成第四半导体结构，第四半导体结构至少包括第二源漏结构；基于第三半导体结构和第四半导体结构，多次倒片分别形成第一晶体管和第二晶体管。本申请通过多次倒片的方式，提高了整体器件制备过程的热预算。
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