公开(公告)号：CN107611000A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710857667.7

申请日：2017-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  宿世臣 ,  臧之昊 ,  徐万劲 ,  侯瑞祥 ,  李磊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明公布了一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板位于可升降支架上的恒温中空盒上；中空盒裸露的表面镀有防沾污层，但与支架通过绝缘层隔开；真空腔室和支架暴露在真空腔室中的表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，该防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了掺杂的纯净度。

公开(公告)号：CN107731649B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201710991602.1

申请日：2017-10-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  冉广照 ,  徐万劲 ,  宿世臣 ,  张健

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公布了一种多功能半导体掺杂装置，兼容等离子体激励非高温扩散掺杂和等离子体浸没离子注入掺杂两种功能。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，窗口下为由上下板构成的平行板等离子体腔，其间设可移动的中板；三板的暴露表面沉积掺杂杂质层；真空腔室内表面和支架表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，且防沾污层连接提供正偏压的直流低电压源；中板连接提供负偏压的直流高电压源，下板为地电位。进行扩散掺杂时，移出中板，待掺杂半导体置于下板上，而进行离子注入掺杂时，移入中板，待掺杂半导体置于中板上。该装置不仅最大限度降低了非掺杂杂质的沾污，还能灵活实现两种掺杂功能的互换。

公开(公告)号：CN107523798A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710857636.1

申请日：2017-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  宿世臣 ,  侯瑞祥 ,  徐万劲 ,  臧之昊 ,  李磊

IPC: C23C14/48

CPC classification number: C23C14/48

Abstract: 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板连接提供负偏压的直流电压源；真空腔室的暴露内表面覆盖双层内衬材料，外层为防沾污层，内层为绝缘层，防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了离子注入掺杂的纯净度。

公开(公告)号：CN107611000B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201710857667.7

申请日：2017-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  宿世臣 ,  臧之昊 ,  徐万劲 ,  侯瑞祥 ,  李磊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明公布了一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板位于可升降支架上的恒温中空盒上；中空盒裸露的表面镀有防沾污层，但与支架通过绝缘层隔开；真空腔室和支架暴露在真空腔室中的表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，该防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了掺杂的纯净度。

公开(公告)号：CN107523798B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201710857636.1

申请日：2017-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  宿世臣 ,  侯瑞祥 ,  徐万劲 ,  臧之昊 ,  李磊

IPC: C23C14/48

Abstract: 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板连接提供负偏压的直流电压源；真空腔室的暴露内表面覆盖双层内衬材料，外层为防沾污层，内层为绝缘层，防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了离子注入掺杂的纯净度。

公开(公告)号：CN107731649A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710991602.1

申请日：2017-10-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  冉广照 ,  徐万劲 ,  宿世臣 ,  张健

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32908

Abstract: 本发明公布了一种多功能半导体掺杂装置，兼容等离子体激励非高温扩散掺杂和等离子体浸没离子注入掺杂两种功能。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，窗口下为由上下板构成的平行板等离子体腔，其间设可移动的中板；三板的暴露表面沉积掺杂杂质层；真空腔室内表面和支架表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，且防沾污层连接提供正偏压的直流低电压源；中板连接提供负偏压的直流高电压源，下板为地电位。进行扩散掺杂时，移出中板，待掺杂半导体置于下板上，而进行离子注入掺杂时，移入中板，待掺杂半导体置于中板上。该装置不仅最大限度降低了非掺杂杂质的沾污，还能灵活实现两种掺杂功能的互换。