公开(公告)号：CN100505264C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710121804.7

申请日：2007-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭练矛 ,  梁学磊 ,  陈清 ,  张志勇 ,  王胜 ,  胡又凡 ,  姚昆

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，n型场效应晶体管是通过控制低功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的导带交换电子来实现的。在此基础上，本发明提出了采用背栅和顶栅两种器件结构分别实现反相器、与非门、或非门以及全加器等基本逻辑单元和更为复杂的逻辑电路。本发明大大降低了CMOS电路制作的工艺复杂性和成本，提高了器件性能的均匀性，为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。

公开(公告)号：CN101136408A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710121804.7

申请日：2007-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭练矛 ,  梁学磊 ,  陈清 ,  张志勇 ,  王胜 ,  胡又凡 ,  姚昆

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，n型场效应晶体管是通过控制低功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的导带交换电子来实现的。在此基础上，本发明提出了采用背栅和顶栅两种器件结构分别实现反相器、与非门、或非门以及全加器等基本逻辑单元和更为复杂的逻辑电路。本发明大大降低了CMOS电路制作的工艺复杂性和成本，提高了器件性能的均匀性，为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。