公开(公告)号：CN117106438A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310833186.8

申请日：2023-07-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 曲波 ,  杨爽 ,  陈志坚 ,  肖立新 ,  劳怡楠 ,  俞文锦 ,  唐振宇 ,  郭浩清

IPC: C09K11/02 ,  H10K50/12 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/16 ,  C30B29/22 ,  C09K11/66

Abstract: 本发明涉及一种核壳结构锡基钙钛矿纳米晶制备方法及应用。本发明调整铯源和亚锡源的投料比及油胺油酸的比例，通过一步热注入方法，得到了溴化铯为壳层，锡基钙钛矿为核层的纳米晶；进一步利用上述纳米晶制备了发光二极管器件。上述锡基钙钛矿纳米晶具有持续稳定的高荧光量子产率，基于该纳米晶制备的发光二极管器件具有很高的发光效率。

公开(公告)号：CN117750852A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310645323.5

申请日：2023-06-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖立新 ,  俞文锦 ,  曲波 ,  陈志坚

IPC: H10K71/12 ,  H10K85/50 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种均相钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法与应用。本发明在原位制备方法的前驱体溶液中引入铵盐型双齿配体调控结晶过程，制备了具备小尺寸且大小均一纳米晶的均相钙钛矿纳米晶薄膜。另外还应用该薄膜，制备了钙钛矿发光二极管器件，该器件具有良好的发光性能(外量子效率高)，其电学性能也得到明显提升，表现为更均一的电流传输和更小的漏电流。

公开(公告)号：CN116896967A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310642086.7

申请日：2023-06-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖立新 ,  俞文锦 ,  曲波 ,  陈志坚

IPC: H10K71/30 ,  H10K85/50 ,  H10K50/12

Abstract: 本发明涉及一种高外量子效率钙钛矿发光二极管器件及制备方法。本发明在原位制备方法的前驱体溶液中引入具有氧化性的二苯基膦酰羟胺，与钙钛矿前驱体反应生成一种去质子化的膦氧化合物，进而得到了发光量子产率接近100％的纳米晶薄膜。另外本发明还应用该薄膜，制备了高外量子效率钙钛矿发光二极管器件，该器件具有良好的发光性能(发光量子产率高)，光致发光稳定性表现为更慢的衰减，器件工作稳定性更强。