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公开(公告)号：CN115727956A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211323666.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料的可调谐红外偏振探测器，包括：光电探测器，以及集成在所述光电探测器上的微偏振阵列，所述微偏振阵列包括多个偏振化方向的偏振单元；其中，所述偏振单元包括二氧化硅基底，以及在所述二氧化硅基底上沉积的一个保偏元原子，和一个类半波片偏振转换元原子；其中，所述保偏元原子为：采用相变材料沉积在所述二氧化硅基底上的纳米圆柱体；所述类半波片偏振转换元原子为：采用相变材料沉积在所述二氧化硅基底上的纳米长方体。本发明通过超表面设计控制入射光的偏振特性，可以很容易就实现偏振光调制。
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公开(公告)号：CN115642192A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211300907.0
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于InAs/GaSb的长红外超晶格的制备方法包括：在465℃的温度下，在脱氧处理后的GaSb衬底生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；在420℃的温度下，在GaSb缓冲层上生长100个周期的InAs/GaSb超晶格，其中，包括：在GaSb缓冲层上生长GaSb超晶格，其中，Sb与Ga的五三束流比为2；间隔一段时间后，在GaSb超晶格上生长第一InSb层；间隔一段时间后，在第一InSb层上生长InAs超晶格，其中，As与In的五三束流比为7；间隔一端时间后，在InAs超晶格上生长第二InSb层。本发明通过在InAs/GaSb超晶格中主动插入InSb层用以平衡InAs层和GaSb层晶格失配带来的影响。同时在不同层间生长时加入中断时间，使得原子在材料表面有足够时间进行迁移，使表面形貌更好。
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公开(公告)号：CN118275353A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410423101.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种中波红外超表面偏振调控性能测试装置及方法。中波红外超表面偏振调控性能测试装置包括：光源，用于出射中波红外光线；第一偏转调制单元，用于接收中波红外光线，并调制为线偏振光，出射至待测超表面样品或反射单元上，待测超表面样品的超表面和反射单元均能对线偏振光反射后出射形成反射线偏振光；第二偏振调制单元，用于接收经待测超表面样品反射的反射线偏振光，并调制为预设反射偏振光后出射；光强测量单元，用于接收反射线偏振光和预设反射偏振光，并获得待测超表面样品和反射单元的光强参数；控制处理单元，用于根据光强参数并获取待测超表面样品的偏振调控参数。有效降低测试成本和测试周期，保证测试效率和测试精度。
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公开(公告)号：CN115732594B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
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公开(公告)号：CN115732594A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112712162A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011459694.7
申请日：2020-12-11
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体纳米梁的热光调制语音转换系统，包括输入层、隐藏层和输出层；其中，隐藏层中包括光学干涉单元和光学非线性单元，光学干涉单元包括MZI结构与光子晶体纳米梁，经过MZI结构的光相位与MZI结构温度之间的关系可表示为：其中，λ表示光的波长，neff表示为光的有效折射率，L表示为MZI结构中调制臂的波长。本发明与光学相结合的深度学习神经网络能有效地提高学习效率、计算速度以及准确度。基于光子晶体纳米梁的热光调制语音转化系统可以有效地解决传统计算机网络功耗大效率低以及体光学元件(如光纤、透镜)需要高的稳定性等问题。光学神经网络架构可以比在当前电子计算机上实现传统人工神经网络更加节能。
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公开(公告)号：CN116002758B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211323670.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/18 , C01G41/02
Abstract: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法，包括：将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中，制备过氧钨酸溶液，其中，过氧化氢的质量分数为：30wt％，所述玻璃小瓶置于冰水混合物中；将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中，并在磁力搅拌器中搅拌30分钟，得到混合溶液；将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内，在200℃下水热反应24小时；高压釜自然冷却至室温，将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy)，获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料，简化实现方式。
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公开(公告)号：CN116565055A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310309844.3
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/107 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种双色红外雪崩光电探测器，包括：衬底，在衬底上依次外延生长的长波通道接触层、长波通道倍增层、长波通道电荷层、长波通道渐变层、长波通道吸收层和中长波通道接触层；在中长波通道接触层上依次外延生长的中波通道吸收层、中波通道渐变层、中波通道电荷层、中波通道倍增层和中波通道接触层；中波通道接触层上制备第一电极，中长波通道接触层上制备第二电极，长波通道接触层上制备第三电极。本发明采用两个PN结构造，每个PN结对应一个吸收波段，并采用合理的吸收区材料使得对应波段性能达到最佳，实现中波和长波的高灵敏低噪声的探测。
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公开(公告)号：CN115910750A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211306994.0
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法，所述制备方法包括如下方法步骤：在半绝缘掺杂Si的GaAs衬底上生长的GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上生长GaSb低温缓冲层；在所述GaSb低温缓冲层上生长GaSb外延层；其中，所述GaSb低温缓冲层的生长厚度为10‑12nm，生长温度为300‑310℃。本发明通过在较低温度下生长较薄的GaSb低温缓冲层后，采用高温生长GaSb单晶薄膜，优化衬底生长温度、束流比、薄膜厚度的手段，采用低温高温相结合生长GaSb的方式，解决由于外延层和衬底存在较大的晶格失配导致表面相对粗糙且形成“V”形凹坑的难点。
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公开(公告)号：CN115632078A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211300933.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法，包括如下步骤：步骤1、对GaSb(100)衬底进行除气；步骤2、对GaSb(100)衬底进行脱氧处理；步骤3、在465℃的温度下，在GaSb(100)衬底上生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；步骤4、按照20℃/min降温速率降温至385℃，并在该温度下生长100个周期的InAs/InAsxSb1‑x超晶格，其中，In源炉温度为838.3℃，As源炉温度为380℃，Sb源炉温度为620℃，As与In的五三束流比为6，Sb与In的五三束流比为3.7。本发明通过分子束外延(MBE)的方法，实现了在GaSb衬底上生长高质量的InAs/InAsxSb1‑xⅡ类超晶格结构，超晶格结构由100个周期组成，解决了超晶格应变不平衡的问题。
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