公开(公告)号：CN107163936B

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201710322236.0

申请日：2017-05-09

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 段晓霞 ,  袁满 ,  衣立新 ,  张希清 ,  徐征

IPC: C09K11/66

Abstract: 本发明公开了一种新型白色长余辉发光材料，所述材料的分子式为Zn2GeO4，主相结构属于菱方晶系。本发明采用高温固相法合成，将ZnO与GeO2研磨混匀后煅烧，冷却后得到白色长余辉发光材料。本发明Zn2GeO4经254nm的紫外灯激发后，具有横跨400nm到700nm的带状余辉光谱，肉眼观察发射出白色光，去掉光源后材料依旧发射白色的长余辉。材料的色纯度较好、余辉性能优异，材料合成方法简单、易于实现。

公开(公告)号：CN107163936A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710322236.0

申请日：2017-05-09

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 段晓霞 ,  袁满 ,  衣立新 ,  张希清 ,  徐征

IPC: C09K11/66

Abstract: 本发明公开了一种新型白色长余辉发光材料，所述材料的分子式为Zn2GeO4，主相结构属于菱方晶系。本发明采用高温固相法合成，将ZnO与GeO2研磨混匀后煅烧，冷却后得到白色长余辉发光材料。本发明Zn2GeO4经254nm的紫外灯激发后，具有横跨400nm到700nm的带状余辉光谱，肉眼观察发射出白色光，去掉光源后材料依旧发射白色的长余辉。材料的色纯度较好、余辉性能优异，材料合成方法简单、易于实现。

公开(公告)号：CN103258859B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310195082.5

申请日：2013-05-23

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  李彬 ,  王海龙 ,  周东站 ,  彭云飞 ,  高耸 ,  衣立新 ,  王永生

IPC: H01L29/786

Abstract: 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZnxLiyNzO；InZnxLiyNzO的靶包括In2O3、ZnO、Li2O和Zn3N2，0

公开(公告)号：CN103258859A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310195082.5

申请日：2013-05-23

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 张希清 ,  李彬 ,  王海龙 ,  周东站 ,  彭云飞 ,  高耸 ,  衣立新 ,  王永生

IPC: H01L29/786

Abstract: 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZnxLiyNzO；InZnxLiyNzO的靶包括In2O3、ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～2，y=0～0.1，Z=0～0.1，厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～960℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。