一种基于比较法校准正压漏孔的分子流进样系统及控制方法

    公开(公告)号:CN109459192A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811484865.4

    申请日:2018-12-06

    Abstract: 本发明涉及一种基于比较法校准正压漏孔的分子流进样系统及控制方法,提出基于动态分子流进样方法和累积分子流进样方法相结合的示漏气体进样系统和方法,在漏孔泄漏的气体累积一段时间后,在一套比较法正压漏孔校准系统上、实现了动态比较和累积比较两种质谱分析方法的分子流进样,突破了比较法校准正压漏孔质谱分析进样的关键技术,并且解决了累积法条件下、正压漏孔校准过程中混合气体分子流进样和微量He气累积测量的技术难题。

    一种热阴极电离真空计电参数校准装置及方法

    公开(公告)号:CN108918026B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201811054584.5

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明公开了一种热阴极电离真空计电参数校准装置及方法,该装置包括了电离规热阴极灯丝模拟电阻、模拟发射电流源、模拟离子电流源和保护二极管,其特征在于,电离规热阴极灯丝模拟电阻和保护二极管模拟电离规电阻特性,模拟发射电流源和模拟离子电流源模拟电离规电离特性。本发明设计的一种热阴极电离真空计电参数校准装置方法,对传统热阴极电离真空计电参数校准装置进行改进,利用电路模拟热阴极电离规管的电特性,从而实现热阴极电离真空计电参数校准过程中不用外接真空规管。

    一种热阴极电离真空计电参数校准装置及方法

    公开(公告)号:CN108918026A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201811054584.5

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明公开了一种热阴极电离真空计电参数校准装置及方法,该装置包括了电离规热阴极灯丝模拟电阻、模拟发射电流源、模拟离子电流源和保护二极管,其特征在于,电离规热阴极灯丝模拟电阻和保护二极管模拟电离规电阻特性,模拟发射电流源和模拟离子电流源模拟电离规电离特性。本发明设计的一种热阴极电离真空计电参数校准装置方法,对传统热阴极电离真空计电参数校准装置进行改进,利用电路模拟热阴极电离规管的电特性,从而实现热阴极电离真空计电参数校准过程中不用外接真空规管。

    基于比较法校准正压漏孔的分子流进样系统及控制方法

    公开(公告)号:CN109459192B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201811484865.4

    申请日:2018-12-06

    Abstract: 本发明涉及一种基于比较法校准正压漏孔的分子流进样系统及控制方法,提出基于动态分子流进样方法和累积分子流进样方法相结合的示漏气体进样系统和方法,在漏孔泄漏的气体累积一段时间后,在一套比较法正压漏孔校准系统上、实现了动态比较和累积比较两种质谱分析方法的分子流进样,突破了比较法校准正压漏孔质谱分析进样的关键技术,并且解决了累积法条件下、正压漏孔校准过程中混合气体分子流进样和微量He气累积测量的技术难题。

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