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公开(公告)号：CN116804825A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310292012.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法。本发明课题为提供在多层抗蚀剂法中抑止超微细图案的崩塌的效果高，可形成LWR优良的抗蚀剂图案，且相对于已知的含硅的下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性及湿式剥离性，同时兼顾相对于已知的金属硬掩膜材料具有优良的填埋特性的含硅的金属硬掩膜形成用组成物。该课题的解决手段为一种含硅的金属硬掩膜形成用组成物，其特征为含有：(A)金属氧化物纳米粒子，(B)不含含芳香环的有机基团的热交联性聚硅氧烷(Sx)，及(C)溶剂。
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公开(公告)号：CN111423587B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx‑1)、(Sx‑2)、及(Sx‑3)表示的结构单元中的任一种以上。式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN110895380A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910864595.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够解决产品的性能劣化或成品率下降的问题的图案形成方法。所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN119270583A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410876412.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供对比已知的有机下层膜材料能形成显示极优良的干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组成物。一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有具有下列通式(1)表示的结构作为重复单元的(A)聚合物、及(B)有机溶剂，前述(A)聚合物的分子量为300～3,000，前述(A)聚合物不含含有羟基作为取代基的重复单元也不含含有杂芳香环的重复单元。#imgabs0#上式(1)中，Ar为非取代的碳数6～30的2价芳香族基团。
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公开(公告)号：CN117024997A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310508624.3
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明提供一种金属氧化膜形成用组成物，其对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性、对于已知的金属硬掩膜具有优良的填埋特性，能减小伴随厚膜化的裂纹且保存稳定性优异。一种金属氧化膜形成用组成物，包含：金属氧化物纳米粒子，含有具有下列通式(1)表示的结构单元的树脂的流动性促进剂，由含有2个以上的苯环、或1个苯环及下列通式(C‑1)表示的结构且分子量为500以下的含芳香族的化合物构成的分散稳定化剂，有机溶剂，流动性促进剂相对于组成物全体的含量为9质量％以上，Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，不含卡多(cardo)结构。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119493337A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411112335.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 由等离子体照射显示优异的耐干式蚀刻性、膜厚均匀性的抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法包括(i)涂布含(A)聚合物和(B)有机溶剂的组合物进行热处理的工序；(ii)进行等离子体照射形成抗蚀剂下层膜的工序，(A)聚合物含式(1)的结构单元，重均分子量2500～20000。式(1)中Ar1、Ar2为苯环或萘环，X为式(1A)的结构，Y为有机基团，k为0或1。式(1A)中n1为0或1，n2为1或2，R2为氢原子、有机基团或式(1B)的结构。R3为氢原子、烷基、芳基或式(1C)的基团，n3为0～2。式(1B)中RA为有机基团，RB为氢原子或有机基团。式(1C)中R4为氢原子或烃基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117594418A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310985430.2
申请日：2023-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/312 , H01L21/3065 , C09D4/06 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及晶圆边缘保护膜形成方法、图案形成方法、及晶圆边缘保护膜形成用组成物。本发明的目的为提供一种晶圆边缘保护膜，对比已知的晶圆边缘保护膜，具有优良的干蚀刻耐性，且即使是难被覆的晶圆边缘部也具有优良的成膜性。一种晶圆边缘保护膜形成方法，是在基板的周缘端部形成保护膜的方法，其特征为包含下列步骤：(i)于前述基板的周缘端部涂布包含具有下列通式(1)表示的有机基团的含芳香环的树脂(A)及溶剂的保护膜形成用组成物；(ii)利用热或照光使前述已涂布的保护膜形成用组成物硬化而在前述基板的周缘端部形成前述保护膜。式中，RA为氢原子或碳数1～10的1价有机基团，＊为结合部。
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公开(公告)号：CN116110781A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211393733.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/311 , C09D161/06 , C09D7/63
Abstract: 本发明涉及抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法。一种抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料，其特征为：含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的聚合物、(B)含有下列通式(2)表示的化合物的残留溶剂脱离促进剂、及(C)有机溶剂，前述(A)聚合物的利用凝胶渗透层析法得到的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw与数均分子量Mn的比率Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，前述(B)残留溶剂脱离促进剂的含量相对于前述(A)聚合物的100质量份为0.1～40质量份，且不含酸产生剂。
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公开(公告)号：CN116694114A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310194659.4
申请日：2023-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属氧化膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及金属氧化膜(抗蚀剂下层膜)形成方法。一种金属氧化膜形成用组成物，其特征为含有(A)金属氧化物纳米粒子、(B)为选自下列通式(I)、通式(II)及通式(III)中的一种以上表示的化合物及/或分子量5000以下的聚合物的流动性促进剂、及(C)有机溶剂，该(A)金属氧化物纳米粒子与该(B)流动性促进剂的重量比例为10/90～90/10。
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公开(公告)号：CN116661242A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310160844.1
申请日：2023-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用平坦化剂、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法。本发明关于提供具有高程度平坦化特性的有机膜形成用组成物的有机膜形成用平坦化剂、含有此平坦化剂的有机膜形成用组成物、使用此组成物的有机膜形成方法、及图案形成方法。一种有机膜形成用平坦化剂，由以分子式表示的分子量为200～500的含芳香族的化合物构成，其特征为通过将该有机膜形成用平坦化剂掺合在复数粘度(complex viscosity)于175℃以上的温度范围为1.0Pa·s以上的含有有机膜形成用树脂及溶剂的组成物，以具有该组成物的复数粘度于175℃以上的温度范围成为未达1.0Pa·s的温度范围。
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